[發明專利]半導體晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201010591794.5
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102543671A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 鐘匯才;梁擎擎;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/322
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體晶片的制造方法，包括：

加熱，使金屬材料溶解到晶片中的半導體材料中，從而產生半導體-金屬化合物；以及

冷卻，使所產生的半導體-金屬化合物逆熔化，而形成金屬半導體混合物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中半導體材料包括硅，金屬材料包括銅、鎳和鐵。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，金屬材料由形成于晶片上方的金屬層提供。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，金屬材料由在晶片中形成的溝槽中填充的金屬層來提供。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，金屬材料通過離子注入而提供給晶片。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，金屬材料由在晶片上方設置的硬掩膜中形成的溝槽中填充的金屬層來提供。

7.根據權利要求4或6所述的方法，其中，所述溝槽的位置對應于晶片中將要形成的淺溝槽隔離的位置。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，注入位置對應于晶片中將要形成的淺溝槽隔離的位置。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，在冷卻之后，該方法還包括：

去除金屬半導體混合物以及晶片中沿晶片表面的一部分。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，去除晶片中沿晶片表面的一部分包括：

去除晶片中從平衡線至晶片表面的一部分，其中所述平衡線上方的金屬元素濃度大于晶片主體部分中的金屬元素濃度。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，金屬材料溶解到晶片中的半導體材料中達到過飽和狀態。

12.根據權利要求2所述的方法，其中，加熱至1000℃以上且低于硅的熔點。

13.根據權利要求2所述的方法，其中，冷卻至900℃以下。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述晶片包括絕緣體上硅晶片、體硅晶片、GaN晶片或GaAs晶片。