[發明專利]下電極裝置和半導體設備有效
| 申請號: | 201010591768.2 | 申請日: | 2010-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN102548179A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 陳鵬 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 張天舒;陳源 |
| 地址: | 100015 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 裝置 半導體設備 | ||
1.一種下電極裝置,包括:下電極、匹配器和射頻電源,所述匹配器和所述射頻電源連接,其特征在于,所述匹配器通過連接體連接于所述下電極上。
2.根據權利要求1所述的下電極裝置,其特征在于,所述連接體包括連接部件和安裝部件,所述連接部件上開設有第一安裝孔和第二安裝孔,所述下電極上開設有第三安裝孔,所述匹配器上開設有第四安裝孔;所述安裝部件通過第一連接孔和第三連接孔將所述連接部件固定于所述下電極上以及所述安裝部件還通過第二連接孔和第四連接孔將所述連接部件固定于所述匹配器上,以使所述匹配器連接于所述下電極上。
3.根據權利要求2所述的下電極裝置,其特征在于,所述連接部件的形狀包括柱狀或者帶狀。
4.根據權利要求2所述的下電極裝置,其特征在于,所述連接部件的材料包括銅、鍍銀銅或者鋁。
5.根據權利要求2所述的下電極裝置,其特征在于,所述連接部件的數量為一個或者多個。
6.根據權利要求2所述的下電極裝置,其特征在于,所述連接部件的寬度為大于或等于10mm。
7.根據權利要求6所述的下電極裝置,其特征在于,若所述連接部件的形狀為帶狀時,所述連接部件的寬度為大于或等于15mm。
8.根據權利要求2所述的下電極裝置,其特征在于,所述第三安裝孔為螺孔,所述第四安裝孔為螺孔,所述安裝部件為螺釘。
9.根據權利要求1所述的下電極裝置,其特征在于,所述連接體為插接部件;所述插接部件設置于所述匹配器上,所述下電極上開設有與所述插接部件匹配的插接孔,所述插接部件插入所述插接孔以使所述匹配器連接于所述下電極上。
10.根據權利要求1所述的下電極裝置,其特征在于,所述連接體為插接部件;所述插接部件設置于所述下電極上,所述匹配器上開設有與所述插接部件匹配的插接孔,所述插接部件插入所述插接孔以使所述匹配器連接于所述下電極上。
11.根據權利要求9或10所述的下電極裝置,其特征在于,所述插接部件的形狀為柱狀。
12.根據權利要求9或10所述的下電極裝置,其特征在于,所述插接部件的寬度大于或等于10mm。
13.根據權利要求9或10所述的下電極裝置,其特征在于,所述插接部件的材料包括銅、鍍銀銅或者鋁。
14.根據權利要求1所述的下電極裝置,其特征在于,還包括:設置于所述下電極和所述匹配器之間的屏蔽罩。
15.一種半導體設備,其特征在于,包括:反應腔室和如權利要求1至14任一所述的下電極裝置,所述下電極設置于所述反應腔室的內部。
16.根據權利要求15所述的半導體設備,其特征在于,所述半導體設備為物理氣相沉積設備。
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