[發明專利]一種微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料及制備方法有效
| 申請號： | 201010591390.6 | 申請日： | 2010-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN102534479A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 宋志棠;夏夢姣;饒峰;劉波;封松林 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/58;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 si sb sub te 復合 相變 材料 制備 方法 | ||
1.一種微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料，其特征在于：由微晶態的Si和相變材料SbxTe1-x復合而成，其中0.1≤x≤0.9。
2.根據權利要求1所述一種微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料，其特征在于：所述微晶態的Si的晶粒尺寸為3-20nm。
3.一種微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：首先利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料；然后通過在氫氣氣氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料；最后加熱脫氫；其中0.1≤x≤0.9。
4.根據權利要求3所述一種微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料的制備方法，其特征在于：PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料之后，先在該非晶Si-SbxTe1-x材料的結晶溫度以上進行退火，使其形成非晶Si和SbxTe1-x晶體分相，然后再通過在氫氣氣氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料。
5.根據權利要求3所述一種微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料的制備方法，其特征在于：在氫氣氣氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料的退火溫度為200-500攝氏度。
6.根據權利要求3所述一種微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料的制備方法，其特征在于：在氫氣氣氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料的退火時間為10-30min。
7.根據權利要求3所述一種微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料的制備方法，其特征在于：加熱脫氫為在300-600攝氏度保溫25-30min實現脫氫。
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