[發明專利]制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法有效
| 申請號： | 201010591304.1 | 申請日： | 2010-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN102573299A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 朱旻;張海英;杜澤保;尹軍艦 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H05K3/00 | 分類號： | H05K3/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 低溫 陶瓷 平整 方法 | ||
1.一種制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，包括：
切割第一低溫共燒陶瓷LTCC帶層中預設區域，獲得第一切割件和第一疊層；
至少切割第二LTCC帶層中所述預設區域，獲得第二切割件和第二疊層；
將至少包含所述第一切割件和所述第二切割件的多個切割件疊壓，構成多層切割件；
將至少包含所述第一疊層和第二疊層的多個疊層疊壓，構成多層疊層；
在所述多層切割件上制備通孔，并燒結所述制備通孔后形成的多層切割件；
將所述燒結后的多層切割件置入所述多層疊層中的所述預設區域對應的凹槽，用第二填充物固定所述多層切割件和所述多層疊層，其中所述第二填充物為能起到固定和支撐作用的材料；
共燒所述多層切割件和所述多層疊層的結合物，獲得LTCC基板。
2.根據權利要求1所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述第二填充物為金屬漿料的一種：銀漿、金漿、鎳銀合金漿料。
3.根據權利要求1所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述燒結多層切割件的步驟之前還包括：用第一填充物填充所述通孔，所述第一填充物為以下材料中的一種：銀漿、面粉、玉米淀粉、蠟、聚丙烯。
4.根據權利要求1所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述燒結多層切割件的步驟之后還包括：打磨所述燒結后的多層切割件的頂面為平整平面。
5.根據權利要求1所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述第一LTCC帶層和第二LTCC帶層均包含一層、兩層或多層的LTCC生瓷帶。
6.根據權利要求5所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述獲得的LTCC基板中，LTCC生瓷帶的數目為20至40層。
7.根據權利要求1所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述燒結多層切割件的步驟中，燒結的溫度為850℃。
8.根據權利要求7所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述共燒多層切割件和多層疊層的結合物的步驟中，共燒的溫度介于850℃至900℃之間。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述預設區域為所述LTCC基板上地平面對應的區域。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的制備低溫共燒陶瓷平整基板的方法，其特征在于，所述通孔的水平截面為圓形或矩形。
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