[發(fā)明專利]熒光材料及其制造方法,使用熒光材料的放射線檢測器,與X射線CT裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010591247.7
• 申請日: 2005-12-20
• 公開（公告）號: CN102127440A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中村良平;松本大成;山田信行;宮本晃男
• 申請（專利權(quán)）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;G01T1/202;A61B6/03
• 代理公司: 北京英特普羅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅

1.一種X射線檢測器用熒光材料，是以Ce為發(fā)光元素、至少含有Gd、Lu、Al、Ga以及O的石榴石構(gòu)造的熒光材料，其特征在于其發(fā)光的衰減常數(shù)小于等于0.5μS，組成表示為下述通式(I)：

Gd_3-p-qLu_pCe_qAl_rGa_5-rO₁₂?????????(I)

其中，

0.1≤p≤3.0，

0.001≤q≤0.05，

2≤r≤4。

2.如權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于其密度在6.76～7.07g/cm³的范圍內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于其80keV的X射線吸收系數(shù)為22.7～25.7cm^-1。

4.如權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于其為單晶。

5.如權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于其為多晶。

6.如權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于其為單晶或多晶，

其中，在上述通式(I)中：

1.0≤p≤2.0。

7.一種放射線檢測器，為一種具有吸收放射線而發(fā)光的閃爍器以及檢測該閃爍器的發(fā)光的受光元件的放射線檢測器，其特征在于所述閃爍器使用權(quán)利要求1所述的熒光材料。

8.如權(quán)利要求7所述的放射線檢測器，其特征在于所述熒光材料的厚度在0.5～10mm的范圍之間。

9.一種X射線CT裝置，為一種具有照射X射線的X射線源與在其對面配置的X射線檢測器的X射線CT，其特征在于所述X射線檢測器使用權(quán)利要求7所述的放射線檢測器。

10.一種X射線CT裝置，為一種具有照射X射線的X射線源與在其對面配置的X射線檢測器的X射線CT，其特征在于所述X射線檢測器使用權(quán)利要求8所述的放射線檢測器。