[發明專利]一種MOS類功率器件的元胞結構無效
| 申請號： | 201010589626.2 | 申請日： | 2010-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN102487076A | 公開（公告）日： | 2012-06-06 |
| 發明（設計）人： | 賈榮本;吳海平 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人： | 南毅寧;周建秋 |
| 地址： | 518118 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mos 功率 器件 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種MOS類功率器件的元胞結構，在所述元胞結構的俯視平面上，沿曲條形布置兩條柵極，兩條柵極之間的距離是變化的，在所述柵極之間布置有阱，在所述阱中布置源區，兩條柵極之間還布置有接觸孔，所述接觸孔同時與所述源區和所述阱區相接觸。
2.根據權利要求1所述的元胞結構，其中，所述兩條柵極相對于元胞的延伸方向鏡像對稱。
3.根據權利要求2所述的元胞結構，其中，所述柵極呈脈沖波形貌，并且所述脈沖波形的彎曲處的彎曲角度為135度。
4.根據權利要求2所述的元胞結構，其中，所述柵極呈正弦波形貌。
5.根據權利要求1所述的元胞結構，其中，其中一條柵極呈脈沖波形貌且在所述脈沖波形的彎曲處的彎曲角度為135度，另一條柵極呈正弦波形貌，并且所述柵極之間距離最大的位置處為正弦波形的波峰或波谷。
6.根據權利要求1至5中任一權利要求所述的元胞結構，其中，所述接觸孔布置在所述柵極之間最大距離和最小距離之間的距離所對應的位置處。
7.根據權利要求1至5中任一權利要求所述的元胞結構，其中，所述接觸孔布置在對應于所述柵極之間距離最大的位置處。
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