[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法

有效

• 申請號: 201010589485.4
• 申請日: 2010-10-27
• 公開（公告）號: CN102157325A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 山澤陽平;輿水地鹽;齊藤昌司;傳寶一樹;山涌純
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/00;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，包括：

具有電介質窗的處理容器，

配置在所述電介質窗之外的線圈狀RF天線，

在所述處理容器內保持被處理基板的基板保持部，

為了對所述基板實施期望的等離子體處理，而將期望的處理氣體供給至所述處理容器內的處理氣體供給部，

為了在所述處理容器內通過感應耦合而產生處理氣體的等離子體，將適合處理氣體高頻放電的頻率的高頻電力供給至所述RF天線的高頻供電部，

為了控制所述處理容器內的所述基板上的等離子體密度分布，在能夠通過電磁感應與所述RF天線耦合的位置、在所述處理容器之外配置的補正線圈，

設置在所述補正線圈的環內的開關元件，和

以期望的占空比，通過脈沖寬度調制對所述開關元件進行ON/OFF控制的開關控制部。

2.一種等離子體處理裝置，包括：

具有電介質窗的處理容器，

配置在所述電介質窗之外的線圈狀RF天線，

在所述處理容器內保持被處理基板的基板保持部，

為了對所述基板實施期望的等離子體處理，將期望的處理氣體供給至所述處理容器內的處理氣體供給部，

為了在所述處理容器內通過感應耦合而產生處理氣體的等離子體，將適合處理氣體高頻放電的頻率的高頻電力供給至所述RF天線的高頻供電部，

為了控制所述處理容器內的所述基板上的等離子體密度分布，在能夠通過電磁感應而與所述RF天線耦合的位置、在所述處理容器之外配置的補正線圈，

設置在所述補正線圈的環內的可變電阻，和

將所述可變電阻的電阻值控制為期望值的電阻控制部。

3.一種等離子體處理裝置，包括：

具有電介質窗的處理容器，

配置在所述電介質窗之外的RF天線，

在所述處理容器內保持被處理基板的基板保持部，

為了對所述基板實施期望的等離子體處理，將期望的處理氣體供給至所述處理容器內的處理氣體供給部，

為了在所述處理容器內通過感應耦合而產生處理氣體的等離子體，將適合處理氣體高頻放電的頻率的高頻電力供給至所述RF天線的高頻供電部，

為了控制所述處理容器內的所述基板上的等離子體密度分布，在能夠通過電磁感應而與所述RF天線耦合的位置上、在所述處理容器之外配置的補正線圈，和

設置在所述補正線圈的環內的開關器。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述電介質窗構成所述處理容器的頂部，

所述RF天線配置在所述電介質窗之上，

所述補正線圈配置為與所述RF天線平行。

5.如權利要求3或4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述補正線圈由兩端閉合的單匝線圈或多匝線圈構成，相對于所述RF天線同軸地配置，具有在徑向上使線圈導體位于所述RF天線的內周和外周之間的線圈直徑。

6.一種等離子體處理裝置，包括：

具有電介質窗的能夠真空排氣的處理容器，

配置在所述電介質窗之外的RF天線，

在所述處理容器內保持被處理基板的基板保持部，

為了對所述基板實施期望的等離子體處理，將期望的處理氣體供給至所述處理容器內的處理氣體供給部，

為了在所述處理容器內通過感應耦合而產生處理氣體的等離子體，將適合處理氣體高頻放電的頻率的高頻電力供給至所述RF天線的高頻供電部，

為了控制所述處理容器內的所述基板上的等離子體密度分布，在能夠通過電磁感應而與所述RF天線耦合的位置、在所述處理容器之外配置的第一和第二補正線圈，和

分別設置在所述第一和第二補正線圈的環內的第一和第二開關器。

7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述電介質窗構成所述處理容器的頂部，

所述RF天線配置在所述電介質窗之上，

所述第一和第二補正線圈配置為與所述RF天線平行。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一和第二補正線圈配置為同心狀。

9.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一和第二補正線圈在不同的高度位置上同軸地配置。