[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)卡和電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010589232.7
• 申請(qǐng)日: 2010-12-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102157540A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明宰;李東洙;李昌范;李承烈
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/24
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/24;G06K19/07
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;李娜娜

1.一種包括存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置，所述存儲(chǔ)單元包括：

雙極存儲(chǔ)元件；

雙向開(kāi)關(guān)元件，連接到雙極存儲(chǔ)元件的端部，雙極開(kāi)關(guān)元件具有雙向開(kāi)關(guān)特性。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中，雙向開(kāi)關(guān)元件包括：

第一開(kāi)關(guān)元件，連接到雙極存儲(chǔ)元件的第一端部并具有第一開(kāi)關(guān)方向；

第二開(kāi)關(guān)元件，連接到雙極存儲(chǔ)元件的第二端部并具有與第一開(kāi)關(guān)方向相反的第二開(kāi)關(guān)方向。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件是肖特基二極管。

4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一開(kāi)關(guān)元件包括第一半導(dǎo)體層，第二開(kāi)關(guān)元件包括第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層均與雙極存儲(chǔ)元件接觸，雙極存儲(chǔ)元件、第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層是氧化物層。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)裝置，其中，雙極存儲(chǔ)元件的氧濃度低于第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的氧濃度。

6.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一開(kāi)關(guān)元件包括與第一半導(dǎo)體層接觸的第一電極，第二開(kāi)關(guān)元件包括與第二半導(dǎo)體層接觸的第二電極，

其中，第一電極、第一半導(dǎo)體層、雙極存儲(chǔ)元件、第二半導(dǎo)體層和第二電極為堆疊結(jié)構(gòu)的形式。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一電極和第二電極是Pt層，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層是TiO_x(30％)層，雙極存儲(chǔ)元件是TiO_x(15％)層。

8.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件是pn二極管。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一開(kāi)關(guān)元件包括第一半導(dǎo)體層，第二開(kāi)關(guān)元件包括第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層與雙極存儲(chǔ)元件接觸，導(dǎo)電區(qū)域形成在第一半導(dǎo)體層的與雙極存儲(chǔ)元件接觸的部分和第二半導(dǎo)體層的與雙極存儲(chǔ)元件接觸的部分中。

10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層是n型氧化物層，所述導(dǎo)電區(qū)域的氧濃度低于第一半導(dǎo)體層的除了導(dǎo)電區(qū)域之外的剩余區(qū)域和第二半導(dǎo)體層的除了導(dǎo)電區(qū)域之外的剩余區(qū)域的氧濃度。

11.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層是p型氧化物層，導(dǎo)電區(qū)域的氧濃度高于第一半導(dǎo)體層的除了導(dǎo)電區(qū)域之外的剩余區(qū)域和第二半導(dǎo)體層的除了導(dǎo)電區(qū)域之外的剩余區(qū)域的氧濃度。

12.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)裝置，其中，雙極存儲(chǔ)元件由氧化物形成。

13.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)裝置，其中，雙極存儲(chǔ)元件的至少一部分形成第一開(kāi)關(guān)元件的一部分和第二開(kāi)關(guān)元件的一部分。

14.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)單元還包括：

第一半導(dǎo)體層，具有第一導(dǎo)電類(lèi)型；

第二半導(dǎo)體層和第三半導(dǎo)體層，具有第二導(dǎo)電類(lèi)型且設(shè)置在第一導(dǎo)電層的端部，

其中，第一半導(dǎo)體層是雙極存儲(chǔ)元件，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層形成所述第一開(kāi)關(guān)元件，第一半導(dǎo)體層和第三半導(dǎo)體層形成所述第二開(kāi)關(guān)元件。

15.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)裝置，其中，雙極存儲(chǔ)元件包括氧化物電阻器。

16.如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)裝置，其中，氧化物電阻器包含從包括以下物質(zhì)的組中選擇的至少一種材料：Ti氧化物、Ni氧化物、Cu氧化物、Co氧化物、Hf氧化物、Zr氧化物、Zn氧化物、W氧化物、Nb氧化物、TiNi氧化物、LiNi氧化物、Al氧化物、InZn氧化物、V氧化物、SrZr氧化物、SrTi氧化物、Cr氧化物、Fe氧化物、Ta氧化物和PrCaMnO。

17.如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)裝置，其中，第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件均包括氧化物半導(dǎo)體。

18.如權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)裝置，其中，氧化物半導(dǎo)體與氧化物電阻器包含同一族的氧化物。

19.如權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)裝置，其中，氧化物半導(dǎo)體與氧化物電阻器包含不同族的氧化物。