[發(fā)明專利]固體攝像裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010589138.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102104053A | 公開(公告)日: | 2011-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 成瀨純次;田中長(zhǎng)孝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 楊謙;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 攝像 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種背光型固體攝像裝置,在半導(dǎo)體基體上具備配置有多個(gè)單位像素的攝像區(qū)域,上述單位像素包括光電變換部和信號(hào)掃描電路部,在與形成有上述信號(hào)掃描電路部的上述半導(dǎo)體基體的表面相反側(cè)的基體表面上形成光照射面,其特征在于,
上述單位像素具備高靈敏度像素和低靈敏度像素,該低靈敏度像素的光靈敏度比上述高靈敏度像素低,
上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素在上述半導(dǎo)體基體中的上述光照射面?zhèn)龋哂袨榱朔蛛x像素而配置的第一像素分離層,
在上述光照射面?zhèn)鹊纳鲜霭雽?dǎo)體基體中,上述高靈敏度像素的上述第一像素分離層之間的開口比上述低靈敏度像素的上述第一像素分離層之間的開口大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光型固體攝像裝置,其特征在于,
上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素分別具有光電二極管,
上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素還具有第二像素分離層,該第二像素分離層被設(shè)成包圍上述光電二極管,在上述半導(dǎo)體基體中的上述信號(hào)掃描電路側(cè),與上述第一像素分離層連續(xù)地配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背光型固體攝像裝置,其特征在于,
上述第二像素分離層之間的寬度在上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素中相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光型固體攝像裝置,其特征在于,
上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素還分別具有向上述光電二極管聚光的第一、第二微透鏡,
上述第一微透鏡的面積比上述第二微透鏡的面積大。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光型固體攝像裝置,其特征在于,
上述第一像素分離層的像素中心位置配置成與上述第一、第二微透鏡的透鏡末端一致。
6.一種背光型固體攝像裝置的制造方法,其特征在于,
在半導(dǎo)體基體中的光照射面?zhèn)龋允沟酶哽`敏度像素中的開口大于低靈敏度像素中的開口的方式形成第一像素分離層;
以在上述半導(dǎo)體基體中與上述第一像素分離層連續(xù)配置且其開口在上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素中相同的方式,形成第二像素分離層;
在上述半導(dǎo)體基體中的信號(hào)掃描電路側(cè),分別在上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素形成光電二極管;
在上述信號(hào)掃描電路側(cè)的上述半導(dǎo)體基體上形成信號(hào)掃描線電路;
在上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素上分別形成第一、第二微透鏡,該第一、第二微透鏡用于對(duì)上述光電二極管的光進(jìn)行聚光,上述第一微透鏡的面積比上述第二微透鏡的面積大。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背光型固體攝像裝置的制造方法,其特征在于,
上述第二像素分離層之間的寬度在上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素中相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背光型固體攝像裝置的制造方法,其特征在于,
將上述第一像素分離層的像素中心位置形成為與上述第一、第二微透鏡的透鏡末端一致。
9.一種背光型固體攝像裝置,其特征在于,
包括:
單位像素,具備高靈敏度像素和低靈敏度像素,該低靈敏度像素的光靈敏度比上述高靈敏度像素低,
上述高靈敏度像素具備第一光電二極管和第一讀取晶體管,該第一光電二極管將入射光進(jìn)行光電變換后蓄積,該第一讀取晶體管與上述第一光電二極管連接并讀取信號(hào)電荷,
上述低靈敏度像素具備第二光電二極管和第二讀取晶體管,該第二光電二極管的光靈敏度比上述第一光電二極管低,用于將入射光進(jìn)行光電變換后蓄積,該第二讀取晶體管與上述第二光電二極管連接并讀取信號(hào)電荷,
上述高靈敏度像素和上述低靈敏度像素在上述半導(dǎo)體基體中的上述光照射面?zhèn)龋哂袨榱朔蛛x像素而配置的第一像素分離層,
在上述光照射面?zhèn)鹊纳鲜霭雽?dǎo)體基體中,上述高靈敏度像素的上述第一像素分離層之間的開口比上述低靈敏度像素的上述第一像素分離層之間的開口大。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光型固體攝像裝置,其特征在于,
單位像素進(jìn)行第一動(dòng)作模式和第二動(dòng)作模式,
上述第一動(dòng)作模式是,放大在上述浮置擴(kuò)散區(qū)將上述第一光電二極管的信號(hào)電荷和上述第二光電二極管的信號(hào)電荷相加后形成的電位,并輸出信號(hào),
上述第二動(dòng)作模式是,放大由上述第二讀取晶體管讀取了上述第二光電二極管的信號(hào)電荷之后的上述浮置擴(kuò)散區(qū)的電位,并輸出信號(hào)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





