[發明專利]AlGaN/GaN HEMT小信號模型的參數提取方法有效

申請號：	201010589028.5	申請日：	2010-12-15
公開（公告）號：	CN102542077A	公開（公告）日：	2012-07-04
發明（設計）人：	劉新宇;蒲顏;龐磊;袁婷婷;羅衛軍;陳曉娟	申請（專利權）人：	中國科學院微電子研究所
主分類號：	G06F17/50	分類號：	G06F17/50
代理公司：	北京市德權律師事務所 11302	代理人：	王建國
地址：	100029 北京市***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	algan gan hemt 信號模型參數提取方法
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【權利要求書】：

1.一種AlGaN/GaN?HEMT小信號模型的參數提取方法，其特征在于，所述參數提取方法包括：

步驟10：測量外圍開路去嵌電路的散射參數S，并將其變換得到導納參數Y，從而計算出外圍寄生電容C_pg、C_pd和C_pgd的數值，所述外圍開路去嵌電路包括外圍寄生電容C_pg、C_pd和C_pgd，所述外圍寄生電容C_pgd串聯C_pg和C_pd之間；

步驟20：在V_gs＞0，V_ds＝0V的偏置狀態下，選擇兩組AlGaN/GaN?HEMT器件的柵電壓值分別為V_gs1和V_gs2，測試得到兩組分別與兩組柵電壓值對應的且小于10mA的電流值I_gs1和I_gs2，再測量柵電壓值分別為V_gs1和V_gs2時的S參數，并將其變換得到阻抗參數Z，再計算得到串聯寄生電阻和串聯寄生電感的數值；

步驟30：測量AlGaN/GaN?HEMT器件在偏置狀態下的S參數，去除步驟10中計算出的外圍寄生電容C_pg、C_pd和C_pgd和步驟20得到的串聯寄生電阻R_g、R_d、R_s和串聯寄生電感L_g、L_d、L_s，得到內部參數的本征S參數，并將其變換得到Y參數，再計算得到偏置狀態下的內部本征參數柵電容C_gs、C_gd，跨導g_m及其延遲因子τ_m，源漏電導g_ds及其漏端延遲因子τ_ds，漏源電容C_ds和柵源溝道電阻R_i的數值。