[發明專利]制造非易失性存儲器的方法

有效

• 申請號: 201010589009.2
• 申請日: 2010-12-15
• 公開（公告）號: CN102097387A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 孫龍勛;黃棋鉉;白升宰
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/316;H01L21/8239
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種形成非易失性存儲器的方法，包括：

通過以下步驟在襯底上形成非易失性存儲單元的豎直堆疊：

在豎直的硅有源層的第一側壁上形成間隔開的柵電極的豎直堆疊；以及

用氧化物種處理該豎直的硅有源層的第二側壁，該氧化物種將該第二側壁的表面轉化為二氧化硅鈍化層。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述形成非易失性存儲單元的豎直堆疊還包括在該二氧化硅鈍化層上形成掩埋絕緣圖案。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述處理包括利用干法熱氧化工藝將該硅有源層的第二側壁轉化為二氧化硅鈍化層。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述處理包括在干法熱氧化工藝中使用O₂、O₂/N₂和/或O₂/N₂O氣體將該硅有源層的第二側壁轉化為二氧化硅鈍化層。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述處理包括在濕法熱氧化工藝中使用H₂/O₂和/或H₂O氣體將該硅有源層的第二側壁轉化為二氧化硅鈍化層。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述處理包括在基團氧化工藝中使用氫氣、氧氣和/或氯化氫氣體將該硅有源層的第二側壁轉化為二氧化硅鈍化層。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述處理包括通過在包含鹵素的氣體的氣氛下氧化該第二側壁將該硅有源層的第二側壁轉化為二氧化硅鈍化層，所述包含鹵素的氣體選自包括HCl、HF、NF₃、HBr、Cl₂、BCl₃、F₂和Br₂的組。

8.如權利要求2所述的方法，其中在該二氧化硅鈍化層上形成掩埋絕緣圖案包括直接在該二氧化硅鈍化層上形成掩埋絕緣圖案。

9.一種制造三維半導體存儲器的方法，包括：

在襯底上形成由多個薄層構成的薄層結構；

通過構圖該薄層結構形成暴露該襯底的穿透區；

在該穿透區的內壁上共形地形成半導體層；

通過對該半導體層進行表面處理工藝在該半導體層的暴露于該穿透區的表面上形成氧化物鈍化層。

10.如權利要求9所述的方法，其中對該半導體層進行表面處理工藝是在該半導體層上進行熱氧化工藝或基團氧化工藝。

11.如權利要求9所述的方法，其中該半導體層的厚度小于該穿透區的厚度的一半。

12.如權利要求9所述的方法，其中該半導體層由多晶硅層形成，該半導體層包括接觸該薄層結構的外壁和與該外壁間隔開的內壁，對該半導體層進行表面處理工藝是使該半導體層的該內壁中的硅原子與氧原子反應。

13.如權利要求9所述的方法，在對該半導體層進行表面處理工藝之后，還包括形成填充該穿透區的絕緣層。

14.如權利要求13所述的方法，其中該絕緣層利用包括硅原子的第一反應氣體和包括氧氣的第二反應氣體形成。

15.如權利要求13所述的方法，其中該絕緣層包括CVD氧化物層、PECVD氧化物層、HDP氧化物層或SOG層。

16.如權利要求9所述的方法，其中該穿透區以孔形或線形形成。

17.如權利要求9所述的方法，其中該薄層結構包括順序且重復堆疊的第一材料層和第二材料層，其中該第一材料層和第二材料層由彼此不同的材料形成。

18.如權利要求17所述的方法，還包括：

在該半導體層之間形成穿透該薄層結構的溝槽；

通過去除該第二材料層，形成暴露該半導體層的在該第一材料層之間的側壁的凹入區；

形成填充該凹入區的導電圖案。

19.如權利要求18所述的方法，在形成該導電圖案之前，還包括形成覆蓋該第一材料層的表面和該半導體層的暴露于該凹入區的側壁的數據儲存層。

20.如權利要求9所述的方法，其中該薄層結構包括順序且重復堆疊的第一材料層和第二材料層，其中該第一材料層由絕緣層形成，該第二材料層由導電層形成。