[發(fā)明專利]生產(chǎn)低溫多晶硅薄膜晶體管的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010588952.1 | 申請日： | 2010-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN102082098A | 公開（公告）日： | 2011-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐正勛;閆曉劍 | 申請（專利權(quán)）人： | 四川虹視顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所 51124 | 代理人： | 柯海軍;武森濤 |
| 地址： | 611731 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 生產(chǎn) 低溫 多晶 薄膜晶體管 方法 | ||
1.生產(chǎn)低溫多晶硅薄膜晶體管的方法，其特征在于包括如下步驟：
a、在玻璃基板或石英基板上用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的緩沖氧化層；
b、用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或化學(xué)氣相沉積的非晶硅薄膜層；
c、硅圖案化；
d、用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的柵極絕緣層；
e、濺射蒸鍍的柵極導(dǎo)電層，然后圖案化；
f、離子摻雜處理；
g、蒸鍍的Ni金屬層；
h、加熱，于500～700℃下使非晶硅結(jié)晶化和活性化；
i、沉積ILD及形成通孔圖案；
j、沉積源/漏金屬層及形成數(shù)據(jù)線圖案；
k、鈍化絕緣膜沉積及形成通孔圖案；
l、沉積ITO薄膜及形成OLED陽極圖案；
m、形成像素限定層圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)低溫多晶硅薄膜晶體管的方法，其特征在于：g步驟采用ALD設(shè)備蒸鍍Ni金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)低溫多晶硅薄膜晶體管的方法，其特征在于：h步驟于500～700℃下保溫1～4h使非晶硅結(jié)晶化和活性化。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 生產(chǎn)系統(tǒng)和生產(chǎn)方法
- 生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)方法
- 生產(chǎn)系統(tǒng)及產(chǎn)品生產(chǎn)方法
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- 生產(chǎn)系統(tǒng)、生產(chǎn)裝置和生產(chǎn)系統(tǒng)的控制方法
- 石料生產(chǎn)機(jī)制砂生產(chǎn)系統(tǒng)
- 生產(chǎn)系統(tǒng)以及生產(chǎn)方法
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