[發明專利]量子點納米材料的制備方法及其表面包覆二氧化硅的方法

無效

• 申請號: 201010588938.1
• 申請日: 2010-12-15
• 公開（公告）號: CN102079978A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 張家雨;王凱;楊伯平;崔一平
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;H01L33/50;H01L33/48
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 周靜

1.一種量子點納米材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)制備ZnSe量子點，提純后溶于正己烷；

(2)取(1)中的ZnSe量子點0.24mmol，加入油胺、十八碳烯，在氬氣氣氛下，加熱到120℃，在此溫度下停留5-6分鐘，注入MnSt₂/ODE，穩定5-6分鐘后升溫到270-280℃，停留5-6分鐘，注入Se/TBP并在此溫度下停留5-6分鐘，注入ZnSt₂/ODE，反應20-25分鐘，得到量子點納米材料，其中MnSt₂、Se和ZnSt₂的注入量分別為0.032-0.04mmol、0.48-0.49mmol、0.34-0.425mmol。

2.如權利要求1所述的量子點納米材料的制備方法，其特征在于步驟(2)中，MnSt₂/ODE的濃度為0.02-0.025M，Se/TBP的濃度為2.4-2.45M，ZnSt₂/ODE的濃度為0.2-0.25M。

3.在權利要求1或2所述制備方法所得量子點納米材料表面包覆二氧化硅的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將純化的量子點納米材料溶于正己烷，用巰基丙酸轉水，得到量子點水溶液；

(2)在3-氨丙基三乙氧基硅烷中加入量子點水溶液，攪拌均勻，反應形成溶膠。

4.如權利要求3所述在量子點納米材料表面包覆二氧化硅的方法，其特征在于，還包括步驟(3)：將LED倒置于步驟(2)所得溶膠中，隨著3-氨丙基三乙氧基硅烷的水解固化，LED被封裝在二氧化硅中。