[發(fā)明專利]摻雜ⅡA族稀土氧化物發(fā)光材料及其熔體法生長(zhǎng)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010588504.1
• 申請(qǐng)日: 2010-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102127437A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張慶禮;殷紹唐;孫敦陸;寧凱杰;劉文鵬;羅建喬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號(hào): C09K11/78
• 分類號(hào): C09K11/78;C30B29/16;C30B11/00;C30B15/00
• 代理公司: 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.稀土或Bi、Cr、Ti摻雜的IIA族稀土氧化物發(fā)光材料，其特征在于：化合物分子式可表示為(D_2xD′_2y)ARE_2(1-x-y-z)RE′_2zO₄、(D_4xD′_4y)A₃RE_4(1-x-y-z)RE′_4zO₉、(D_2xD′_2y)A₄RE_2(1-x-y-z)RE′_2zO₇，其中：D和D′代表稀土Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb和Bi、Ti、Cr元素，A代表IIA族元素Be、Mg、Ca、Sr、Ba，RE、RE′代表稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu，RE≠RE′，x、y和z的取值范圍為：0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，且x+y+z＜1。

2.如權(quán)利要求1所述的摻雜IIA族稀土氧化物的熔體法晶體生長(zhǎng)方法，其特征在于：

(1)(D_xD′_y)ARE_2-x-y-zRE′_zO₄晶體生長(zhǎng)原料的配料：

A、當(dāng)D、D′均不為Ce或Ti時(shí)，且A≠Be時(shí)，采用ACO₃、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

B、當(dāng)D、D′均不為Ce或Ti時(shí)，采用AO、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

C、當(dāng)D＝Ce、D′≠Ce時(shí)，以及D＝Ti、D′≠Ti時(shí)時(shí)，且A≠Be時(shí)，采用ACO₃、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

D、當(dāng)D＝Ce、D′≠Ce時(shí)，以及D＝Ti、D′≠Ti時(shí)時(shí)，采用AO、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

(2)(D_4xD′_4y)A₃RE_4(1-x-y-z)RE′_4zO₉晶體生長(zhǎng)原料的配料：

A、當(dāng)D、D′均不為Ce或Ti時(shí)，且A≠Be時(shí)，采用ACO₃、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

B、當(dāng)D、D′均不為Ce或Ti時(shí)，采用AO、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

C、當(dāng)D＝Ce、D′≠Ce時(shí)，以及D＝Ti、D′≠Ti時(shí)時(shí)，且A≠Be時(shí)，采用ACO₃、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

D、當(dāng)D＝Ce、D′≠Ce時(shí)，以及D＝Ti、D′≠Ti時(shí)時(shí)，采用AO、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

(3)(D_2xD′_2y)A₄RE_2(1-x-y-z)RE′_2zO₇晶體生長(zhǎng)原料的配料：

A、當(dāng)D、D′均不為Ce或Ti時(shí)，且A≠Be時(shí)，采用ACO₃、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

B、當(dāng)D、D′均不為Ce或Ti時(shí)，采用AO、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

C、當(dāng)D＝Ce、D′≠Ce時(shí)，以及D＝Ti、D′≠Ti時(shí)時(shí)，且A≠Be時(shí)，采用ACO₃、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

D、當(dāng)D＝Ce、D′≠Ce時(shí)，以及D＝Ti、D′≠Ti時(shí)時(shí)，采用AO、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作為原料，按如下化合式進(jìn)行配料，充分混合均勻后，在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)后獲得生長(zhǎng)晶體所需的多晶原料：

(4)熔體法晶體生長(zhǎng)中存在雜質(zhì)分凝效應(yīng)，生長(zhǎng)出的晶體成分和配料成分會(huì)有差別，但各組分的劑量在所述的化合物分子式指明的范圍之內(nèi)；

(5)原料的壓制和燒結(jié)，獲得晶體生長(zhǎng)初始原料：需要對(duì)(1)-(3)中配好的原料進(jìn)行壓制和燒結(jié)，壓制成形；燒結(jié)溫度在750～1700℃之間，燒結(jié)時(shí)間為10～72小時(shí)；或者壓制成形后的原料不經(jīng)額外燒結(jié)而直接用作生長(zhǎng)晶體原料；

(6)把晶體生長(zhǎng)初始原料放入生長(zhǎng)坩堝內(nèi)，通過(guò)加熱并充分熔化，獲得晶體生長(zhǎng)初始熔體；然后采用熔體法晶體生長(zhǎng)工藝——提拉法、坩堝下降法、溫梯法或者其它熔體法晶體生長(zhǎng)方法進(jìn)行生長(zhǎng)。