[發明專利]金屬前介質層的平坦化方法

無效

• 申請號: 201010587500.1
• 申請日: 2010-12-13
• 公開（公告）號: CN102543670A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 劉金彪;楊濤;李春龍;張浩;宋希明;趙玉印
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/265;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，包括：

對具有凸凹結構的金屬前介質層PMD表面進行大傾角離子注入；

利用濕法刻蝕的方法對離子注入后的PMD表面進行平坦化處理。

2.根據權利要求1所述的金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，所述離子的注入傾角θ為0～90度。

3.根據權利要求2所述的金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，所述離子的注入傾角θ為arctan(H1/L2)～arctan(H1/L3)，其中，H1為所述PMD凸結構與凹結構之間的高度差值，L2為所述PMD下部相鄰柵極的間距，L3為所述PMD相鄰凸結構之間的間距。

4.根據權利要求1所述的金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，所述離子為BF₂、P及Ar中的一種。

5.根據權利要求1所述的金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，所述離子的注入能量范圍為30～810Kev。

6.根據權利要求1所述的金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，所述離子的注入劑量為1E13～1E16atom/cm²。

7.根據權利要求1所述的金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，所述PMD的組分為SiO₂。

8.根據權利要求7所述的金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的化學腐蝕液為氫氟酸與氟化銨的混合液，或者為稀釋氫氟酸溶液。

9.根據權利要求7所述的金屬前介質層的平坦化方法，其特征在于，所述SiO₂的形成采用化學氣相沉積或旋涂工藝形成。