[發明專利]一種生長SiC晶體的籽晶粘結方法

無效

• 申請號: 201010586723.6
• 申請日: 2010-12-14
• 公開（公告）號: CN102534762A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 孔海寬;嚴成鋒;忻雋;陳建軍;肖兵;陳之戰;楊建華;施爾畏
• 申請（專利權）人: 上海硅酸鹽研究所中試基地;中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 許亦琳;余明偉

1.一種生長SiC晶體的籽晶粘結方法，包括如下步驟：

(1)、絲網印刷：將絲網覆蓋在籽晶托或籽晶上，將粘結劑均勻涂刷在絲網覆蓋的籽晶托或絲網覆蓋的籽晶上，然后將絲網與籽晶托和籽晶分離，得到刷有粘結劑的籽晶托或刷有粘結劑的籽晶；

(2)、籽晶粘結：將未涂刷粘結劑的籽晶緊密粘結在步驟(1)所得的刷有粘結劑的籽晶托上，或者將步驟(1)所得的刷有粘結劑的籽晶緊密粘結在未涂刷粘結劑的籽晶托上，或者將步驟(1)所得的刷有粘結劑的籽晶緊密粘結在步驟(1)所得的刷有粘結劑的籽晶托上；其中，所述粘結劑位于籽晶與籽晶托之間，且籽晶與籽晶托之間的間隙均勻；

(3)、將粘結籽晶和籽晶托的粘結劑進行固化處理，其中，固化后的粘結劑層的厚度為7-100μm。

2.如權利要求1所述的生長SiC晶體的籽晶粘結方法，其特征在于，步驟(1)中，所述絲網的目數選自20目、40目、60目、80目、100目或120目。

3.如權利要求1所述的生長SiC晶體的籽晶粘結方法，其特征在于，步驟(1)中，所述絲網的材料選自滌綸、尼龍、聚丙烯或不銹鋼絲。

4.如權利要求1所述的生長SiC晶體的籽晶粘結方法，其特征在于，步驟(1)中，所述絲網的絲徑為Φ0.02mm～Φ0.2mm。

5.如權利要求1所述的生長SiC晶體的籽晶粘結方法，其特征在于，步驟(1)中，所述粘結劑選自食用白糖、AB膠或502膠。

6.如權利要求1所述的生長SiC晶體的籽晶粘結方法，其特征在于，步驟(3)中，所述粘結劑的固化溫度為120-800℃，固化時間為2-12h。

7.如權利要求1所述的生長SiC晶體的籽晶粘結方法，其特征在于，步驟(3)中，所述固化后的粘結劑層的厚度為7-30μm。