[發(fā)明專利]一種提高航天用小內(nèi)阻步進電機斬波頻率的電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010586675.0 | 申請日： | 2010-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN102082539A | 公開（公告）日： | 2011-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王永成;黨源源;徐抒巖;宋克非 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H02P8/14 | 分類號： | H02P8/14 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 航天 內(nèi)阻 步進 電機 頻率 電路 | ||
1.一種提高航天用小內(nèi)阻步進電機斬波頻率的電路，其特征在于，該電路包括微控制器或可編程邏輯器件(1)、功率MOSFET驅(qū)動器(2)、功率MOSFET(3)、步進電機(4)和續(xù)流二極管(5)；
所述微控制器或可編程邏輯器件(1)與所述功率MOSFET驅(qū)動器(2)連接，用于產(chǎn)生步進電機(4)的控制信號來控制功率MOSFET驅(qū)動器(2)；
所述功率MOSFET驅(qū)動器(2)與所述功率MOSFET(3)的柵極連接，其輸出信號控制功率MOSFET(3)的柵極；
所述功率MOSFET(3)的源極接地；
所述步進電機(4)繞組的一端與功率MOSFET(3)的漏極連接，另一端與供電電源連接；
所述續(xù)流二極管(5)與步進電機(4)并聯(lián)，用于當(dāng)步進電機(4)的繞組電流有突變時為其續(xù)流。
2.如權(quán)利要求1所述的一種提高航天用小內(nèi)阻步進電機斬波頻率的電路，其特征在于，當(dāng)所述功率MOSFET驅(qū)動器(2)的輸出信號為高電平時，功率MOSFET(3)處于深度飽和狀態(tài)；當(dāng)所述功率MOSFET驅(qū)動器(2)的輸出信號為低電平時，功率MOSFET(3)處于截止?fàn)顟B(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種提高航天用小內(nèi)阻步進電機斬波頻率的電路，其特征在于，所述微控制器或可編程邏輯器件(1)為80C31或CPLD或FPGA，所述功率MOSFET驅(qū)動器(2)是型號為ICL7667的驅(qū)動器，所述功率MOSFET(3)是型號為JANS2N6798的金屬氧化層半導(dǎo)體場效晶體管。
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