[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010586664.2
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102194784B
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設計）人: 高山剛;安田幸央;加藤肇;日山一明;佐佐木太志;石原三紀夫
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492;H01L23/488;H01L23/367
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導體裝置，其中包括：

半導體元件；

接合所述半導體元件的上表面及下表面的接合部；以及

隔著所述接合部而對所述半導體元件上下接合的金屬板，

所述接合部具備：

在所述半導體元件與所述金屬板之間配置的網狀金屬體，和埋 設所述網狀金屬體的接合部件，

所述半導體元件具備多個，

所述接合部接合各所述半導體元件的上表面及下表面，

所述金屬板隔著所述接合部而共同對所述多個半導體元件從所 述上下接合，

所述接合部還具備埋設于所述接合部件且一端與所述網狀金屬 體接合的柱狀金屬。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述接合部還具備埋 設于所述接合部件且與所述柱狀金屬的另一端接合的其它網狀金屬 體。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述網狀金屬體具備 互相交叉的第一、第二金屬線，所述第一、第二金屬線的一種金屬線 沿所述網狀金屬體的厚度方向重疊。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述網狀金屬體具有 從平面上看缺少網孔的空心區(qū)域。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中除了與所述半導體元 件的外周部對應的區(qū)域以外所述網狀金屬體包括所述空心區(qū)域。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中所述接合部在多個所 述半導體元件的下表面共同配置。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中所述網狀金屬體在所 述多個半導體元件之間具有所述空心區(qū)域。

8.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中所述網 狀金屬體在厚度方向上被壓縮。

9.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中所述網 狀金屬體的線膨脹系數(shù)與所述半導體元件的線膨脹系數(shù)大致相等。

10.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中所述網 狀金屬體的周圍被彎曲。

11.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中所述網 狀金屬體還具備在其周圍連接的板狀金屬。

12.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中所述網 狀金屬體具備從平面上看編成旋渦狀的金屬線。

13.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中所述網 狀金屬體的面積從平面上看大于所述半導體元件的面積。

14.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中所述網 狀金屬體與所述金屬板成為一體。

15.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中所述接 合部件為導電性連接劑。