[發(fā)明專(zhuān)利]液晶面板及液晶面板、陣列基板和彩膜基板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010585449.0
• 申請(qǐng)日: 2010-12-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102566145A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐婉嫻;董學(xué)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1339
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1339;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶面板及液晶面板、陣列基板和彩膜基板的制造方法。

背景技術(shù)

液晶面板包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板與彩膜基板之間填充有液晶，且陣列基板與彩膜基板之間設(shè)有起支撐盒厚作用的主隔墊物和次隔墊物，主隔墊物與次隔墊物之間存在段差，這樣可以使得液晶面板受到擠壓時(shí)，液晶量在一定范圍內(nèi)波動(dòng)。在現(xiàn)有技術(shù)中，使得主隔墊物與次隔墊物之間存在段差的結(jié)構(gòu)可以是：主隔墊物與次隔墊物均通過(guò)在彩膜基板上掩膜構(gòu)圖工藝得到，且主隔墊物與次隔墊物的高度相同。所述主隔墊物置于高于柵線(xiàn)的薄膜晶體管(thin?film?transistor，TFT)上，而次隔墊物置于柵線(xiàn)之上，不與陣列基板相接觸。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在液晶顯示器的制造過(guò)程中，確保液晶顯示面板比較均一的厚度是實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)液晶顯示的基礎(chǔ)，所述主隔墊物不僅起到支撐盒厚作用，還保持了液晶面板的厚度的均一性。但是，由于TFT表面凹凸不平，要保持液晶面板厚度的均一性，必須對(duì)陣列基板與彩膜基板之間進(jìn)行精準(zhǔn)度的要求很高的對(duì)位。然而，在制造液晶顯示面板的過(guò)程中，陣列基板與彩膜基板之間對(duì)位會(huì)有偏差，這樣影響了液晶顯示面板的均一度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶面板及液晶面板、陣列基板和彩膜基板的制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中主隔墊物設(shè)置在表面凹凸不平的TFT上，由于陣列基板與彩膜基板之間對(duì)位會(huì)有偏差影響液晶顯示面板的均一度的問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一種液晶面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線(xiàn)和柵線(xiàn)；所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述柵線(xiàn)圍設(shè)形成像素單元；每個(gè)所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極；其中，所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括柵極、源極、漏極和有源層；所述柵極連接所述柵線(xiàn)，所述源極連接所述數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述漏極連接所述像素電極，所述有源層形成在所述源極、所述漏極與所述柵極之間，所述陣列基板與彩膜基板之間設(shè)置有主隔墊物和次隔墊物，所述彩膜基板上形成有彩色樹(shù)脂和黑矩陣，所述彩色樹(shù)脂與所述陣列基板上的所述像素電極相對(duì)應(yīng)，所述黑矩陣與所述陣列基板上除所述像素電極之外的區(qū)域相對(duì)應(yīng)，所述陣列基板和彩膜基板上形成有相互接觸的主隔墊物和凸起物，所述凸起物對(duì)應(yīng)于所述陣列基板的柵線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)。

進(jìn)一步的，為了使得所述主隔墊物與所述凸起物之間相接觸的面積恒定，所述主隔墊物和所述凸起物為狹長(zhǎng)狀，且所述主隔墊物和所述凸起物的狹長(zhǎng)延伸方向相互垂直。

具體的，所述主隔墊物形成在彩膜基板上，所述凸起物形成在陣列基板上。或者，所述主隔墊物形成在陣列基板上，所述凸起物形成在彩膜基板上。

在所述凸起物形成在陣列基板上時(shí)，為了使得凸起物的形成不會(huì)造成陣列基板的制作工藝的復(fù)雜化，所述陣列基板的有源層薄膜上刻蝕出對(duì)應(yīng)所述柵線(xiàn)位置的有源層圖案，所述有源層圖案將位于有源層薄膜之上的絕緣層墊起形成與柵線(xiàn)對(duì)應(yīng)的凸起物；或者

所述陣列基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層上刻蝕出對(duì)應(yīng)所述柵線(xiàn)位置的數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層圖案，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層圖案將位于數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層之上的絕緣層墊起形成與柵線(xiàn)對(duì)應(yīng)的凸起物；或者

所述陣列基板的有源層薄膜上刻蝕出對(duì)應(yīng)所述柵線(xiàn)位置的有源層圖案，并且數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層上刻蝕出與所述有源層圖案重疊的數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層圖案，所述有源層圖案、以及數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層圖案將位于數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層之上的絕緣層墊起形成與柵線(xiàn)對(duì)應(yīng)的凸起物；或者

所述陣列基板的柵線(xiàn)金屬層上刻蝕出對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)位置的柵線(xiàn)金屬層圖案，所述柵線(xiàn)金屬層圖案將位于柵線(xiàn)金屬層之上的數(shù)據(jù)線(xiàn)和絕緣層墊起形成與柵線(xiàn)對(duì)應(yīng)的凸起物；或者

所述陣列基板的有源層薄膜上刻蝕出對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)位置的有源層圖案，所述有源層圖案將位于有源層薄膜之上的數(shù)據(jù)線(xiàn)以及絕緣層墊起形成與數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)應(yīng)的凸起物；或者

所述陣列基板的柵線(xiàn)金屬層上刻蝕出對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)位置的柵線(xiàn)金屬層圖案，并且在有源層薄膜上刻蝕出與所述柵線(xiàn)金屬層圖案重疊的有源層圖案，所述柵線(xiàn)金屬層圖案以及有源層圖案將位于有源層薄膜之上的數(shù)據(jù)線(xiàn)和絕緣層墊起形成與數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)應(yīng)的凸起物；或者

所述陣列基板的有源層薄膜上刻蝕出對(duì)應(yīng)所述柵線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉處的有源層圖案，所述有源層圖案將位于所述有源層薄膜之上的數(shù)據(jù)線(xiàn)以及絕緣層墊起形成與柵線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉處對(duì)應(yīng)的凸起物。

進(jìn)一步的，為了使得所述主隔墊物與所述凸起物之間的想接觸的面積盡可能大，所述與柵線(xiàn)對(duì)應(yīng)的凸起物的狹長(zhǎng)延伸方向平行于所述柵線(xiàn)；或者

所述與數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)應(yīng)的凸起物的狹長(zhǎng)延伸方向平行于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)；或者