[發明專利]一種使用直徑0.11mm鋼線切割硅片的工藝無效
| 申請號： | 201010585214.1 | 申請日： | 2010-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN102059748A | 公開（公告）日： | 2011-05-18 |
| 發明（設計）人： | 劉濤;靳立輝;郭紅慧;范猛;孫紅永;張雪囡;李翔;沈浩平 | 申請（專利權）人： | 天津市環歐半導體材料技術有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/04 | 分類號： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 天津中環專利商標代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300384 天津市南開*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 使用 直徑 0.11 mm 切割 硅片 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種使用直徑0.11mm鋼線切割硅片的工藝，其特征在于：所述工藝包括如下次序步驟：
（1）砂漿配制:將SiC金剛砂與切削液按照1：1～1：1.2的質量比進行配比，使砂漿密度達到1.6～1.7之間，使用機械攪拌的方式，攪拌6～12小時；
（2）定向、粘棒：單晶在粘接前，在X光衍射儀上進行單晶晶向的測定，并按照晶向要求進行粘接；粘接劑使用美國AD膠，連接材料使用樹脂材料；
（3）切割預熱：切割前砂漿在切割工作艙內進行充分循環，并使用300-500m/min的速度進行鋼線往復運行；
（4）切割：?切割工藝設定，使用直徑0.11mm鋼線，在18-23N的預加張力作用下，線速度400-1000m/min,切割速度在0.3-1mm/min.切割行程根據單晶實際直徑設定；
（5）下料：單晶切割完畢后，關閉砂漿供給，打開切割艙門，確認單晶是否切割完全，點動慢速抬升按鈕，確認鋼線是否夾線；單晶完全與鋼線脫離后，按快速抬升按鈕，工作臺復位到原點，將單晶使用下料車取下；
（6）去膠：使用清水沖洗，溫水浸泡的去膠方法；
清水噴淋時間5-10分鐘，浸泡溫度30-70度，浸泡時間5-10分鐘；
（7）清洗：使用清洗劑伴隨超聲清洗的方法，進行硅片表面的清洗。
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