[發明專利]數據寫入方法、可復寫式非易失性存儲器控制器及系統

有效

• 申請號: 201010585052.1
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102193747A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 辜芳立
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術領域

本發明涉及一種用于數據寫入方法，尤其涉及一種數據寫入方法、可復寫式非易失性存儲器控制器及系統。

背景技術

數碼相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器(rewritable?non-volatile?memory)具有數據非易失性、省電、體積小與無機械結構等的特性，適合可攜式應用，最適合使用于這類可攜式由電池供電的產品上。隨身碟就是一種以可復寫式非易失性存儲器作為儲存媒體的儲存裝置。由于可復寫式非易失性存儲器體積小容量大，所以已廣泛用于個人重要數據的儲存。因此，近年可復寫式非易失性存儲器產業成為電子產業中相當熱門的一環。

可復寫式非易失性存儲器儲存裝置中的存儲器晶粒具有多個實體區塊(physical?block)，且每一實體區塊具有多個實體頁面(physical?page)，其中在實體區塊中寫入數據時必須依據實體頁面的順序依序地寫入數據。一般來說，寫入數據至實體頁面的程序可區分為數據傳輸(transfer)以及數據程序化(program)兩個部分。具體來說，當欲在存儲器晶粒的實體頁面中儲存數據時，可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的控制電路首先會將數據傳輸至存儲器晶粒內的緩沖區中。之后，存儲器晶粒會將緩沖區內的數據程序化至頁面中。在可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的控制電路傳輸數據至存儲器晶粒的期間，存儲器晶粒是處于一傳輸狀態。并且，當數據被程序化至實體頁面的期間，存儲器晶粒是處于一忙碌(busy)狀態。

為了提升可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的寫入速度，可復寫式非易失性存儲器儲存裝置會配置多個存儲器晶粒并且以交錯方式或平行方式來寫入數據。例如，以配置有經由一條數據輸入輸出總線與控制電路電性連接的第一與第二存儲器晶粒的可復寫式非易失性存儲器儲存裝置為例，當主機系統欲在可復寫式非易失性存儲器儲存裝置中儲存多頁數據(即，數據長度為大于1個頁面的數據)時，控制電路可將其中一頁數據傳輸至第一存儲器晶粒。之后，在第一存儲器晶粒處于忙碌狀態期間，控制電路可將另一頁數據傳輸至第二存儲器晶粒。接著，在第二存儲器晶粒處于忙碌狀態時，控制電路可將另一頁數據傳輸至第一存儲器晶粒，由此交錯地將欲寫入頁數據傳輸至第一存儲器晶粒與第二存儲器晶粒，以縮短寫入數據的時間。

特別是，當存儲器晶粒處于傳輸狀態或忙碌狀態時，在存儲器晶粒會需要電源以執行數據傳輸或數據程序化。然而，對于使用數據傳輸接口所提供的電力作為主要電源的隨身碟來說，當多顆存儲器晶粒一起作動(即，處于忙碌狀態或傳輸狀態)時，數據傳輸接口所提供的電力可能會不足而造成可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的不穩定。

發明內容

本發明提供一種用于快閃存儲器的數據寫入方法，其能夠避免可復寫式非易失性存儲器儲存裝置因數據傳輸接口所提供的電力不足而造成不穩定。

本發明提供一種可復寫式非易失性存儲器控制器，其所執行的數據寫入方法能夠避免可復寫式非易失性存儲器儲存裝置因數據傳輸接口所提供的電力不足而造成不穩定。

本發明提供一種可復寫式非易失性存儲器儲存系統，其能夠避免因數據傳輸接口所提供的電力不足而造成不穩定。

本發明范例實施例提出一種數據寫入方法，用于將來自于主機系統的數據寫入至可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的多個存儲器晶粒中，其中可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的主機接口電性連接至主機系統的數據傳輸接口。本數據寫入方法包括依據一信息判斷主機系統的數據傳輸接口是相容于第一接口規格或第二接口規格。當主機系統的數據傳輸接口相容于第一接口規格時使用一般模式將數據寫入至存儲器晶粒中，并且當主機系統的數據傳輸接口相容于第二接口規格時使用第一省電模式或第二省電模式將數據寫入至存儲器晶粒中。在此，在一般模式中同時被作動的存儲器晶粒的數目不大于第一數量并且所述存儲器晶粒是作動在一第一運作頻率中。在第一省電模式中同時被作動的存儲器晶粒的數目不大于第二數量，其中第二數量小于第一數量。在第二省電模式中所述存儲器晶粒是作動在第二運作頻率中，其中第二運作頻率小于第一運作頻率。