[發明專利]半導體器件結終端結構

無效

• 申請號: 201010584842.8
• 申請日: 2010-12-13
• 公開（公告）號: CN102130150A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 蒲奎
• 申請（專利權）人: 成都方舟微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L23/29
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件結構，該結構包括：

一個或多個有源器件區域；

由重摻雜濃度的第一導電類型區和輕摻雜的第二導電類型區構成的雙層摻雜區，所述的第一導電類型區由器件上表面向下延伸至第一深度位置，第二導電類型區由第一深度位置向下延伸至第二深度位置。

由輕摻雜的第二導電類型區構成的單層摻雜區，所述的第二導電類型區由器件上表面向下延伸至第二深度位置。

所述的雙層摻雜區或單層摻雜區，與溝槽區由內向外交替緊密排列，構成無間斷的橫向多層結構，包圍著所述的有源器件區域；

所述的橫向多層結構的最外圍為所述的雙層摻雜區或單層摻雜區，其通過介質層與溝道截止區進行電壓耦合。

所述的雙層摻雜區、單層摻雜區和溝槽區，電位均浮空。

2.如權利要求1所述的結構，其中：

第一導電類型區和第二導電類型區的導電類型相反。

3.如權利要求1所述的結構，其中：

浮空雙層摻雜區中的第一導電類型區為重摻雜區，其在電場中可以等效為一個導體，表現出靜電屏蔽效應。

4.如權利要求1所述的結構，其中：

浮空溝槽區填充物為導電材料，在電位上浮空，其與浮空雙層摻雜區、浮空單層摻雜區、以及與具有第一導電類型的外延層之間，通過介質層進行隔離。

5.如權利要求1所述的結構，進一步包括：

浮空溝槽區填充物為電介質材料。

6.如權利要求5所述的結構，進一步包括：

其中該電介質材料含有一定的固定電倚。

7.如權利要求1所述的結構，進一步包括：

在所述的有源器件區域與所述的橫向多層結構之間，包含一個器件有源區域一結終端的過渡區。

8.如權利要求1所述的結構，進一步包括：

所述的橫向多層結構與場板、場限環相結合，構成復合的結終端結構。

9.一種通過權利1形成的半導體器件。