[發明專利]LED封裝結構有效
| 申請號： | 201010584837.7 | 申請日： | 2010-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN102437266A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發明（設計）人： | 王樹生 | 申請（專利權）人： | 王樹生 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518057 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 封裝 結構 | ||
1.一種LED封裝結構，其包括一LED芯片，及一散熱器，該LED芯片定位于該散熱器上。
2.如權利要求1所述的一LED封裝結構，其特征在于：該LED芯片包括至少一P極與N極，該P極與N極分別設置于該LED芯片之頂部，即遠離該散熱器一側；或該P極與N極分別設置于該LED芯片之兩側，即LED芯片頂部與底部；或該P極與N極分別設置于該LED芯片之底部，即鄰近該散熱器一側。
3.如權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：該LED芯片通過共晶焊或粘膠定位于該散熱器上。
4.如權利要求2所述的LED封裝結構，其特征在于：該散熱器進一步包括一絕緣層，該絕緣層設置于該散熱器之頂面，面對于該LED芯片。
5.如權利要求4所述的LED封裝結構，其特征在于：該散熱器進一步包括一導電層，設置于該絕緣層之上，面對于該LED芯片。
6.如權利要求2所述的LED封裝結構，其特征在于：該LED芯片之P極與N極由超聲焊引出。
7.如權利要求5所述的LED封裝結構，其特征在于：該LED芯片之P極與N極由該導電層引出。
8.如權利要求5所述的LED封裝結構，其特征在于：進一步包括多顆LED芯片串并聯電連接，與提供該LED封裝結構之電源連接線對應的LED芯片之P極與N極由該導電層引出，非與電源連接線對應的LED芯片之P極與N極由超聲焊引出。
9.如權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：該芯片間用金線、鋁線、銅線通過超聲焊進行連接。
10.如權利要求5所述的LED封裝結構，其特征在于：該芯片間用金線、鋁線、銅線通過導電層進行連接。
11.如權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：該散熱器上設置一凹槽，或界定一V型槽，或界定一型槽，或界定一突起，該LED芯片設置于該凹槽或V型槽或型槽或突起的平面上。
12.如權利要求11所述的LED封裝結構，其特征在于：該散熱器與芯片相對的平面，凹槽，V型槽或型槽四周設置一反光層。
13.如權利要求12所述的LED封裝結構，其特征在于：該反光層通過離子封孔染色處理，封孔成與芯片發光色相同的顏色以增強反光效果，或封孔成與芯片發光色不相同的顏色以增加美觀效果。
14.如權利要求5所述的LED封裝結構，其特征在于：該導電層通過粘結，錨固，卡槽卡固一導電金屬箔，或導線的方式制作，或是用印刷電路板工藝制作。
15.如權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：該散熱器由銅材料或鋁材料制作。
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