[發明專利]低電阻的熱電材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201010584138.2 | 申請日： | 2010-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN102464306A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 陳信文;吳欣潔 | 申請（專利權）人： | 陳信文 |
| 主分類號： | C01B19/00 | 分類號： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 北京元本知識產權代理事務所 11308 | 代理人： | 秦力軍 |
| 地址： | 中國*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 熱電 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種低電阻的熱電材料，其組成元素至少包括銀、碲及銻，其中銀、碲及銻的組成摩爾比例為1∶2.43～3.29∶2.18～2.96，其中所述的熱電材料在室溫下的電阻率系低于0.1Ωcm。
2.如權利要求1所述的低電阻的熱電材料，其特征是所述銀、碲及銻的組成摩爾比例為1∶2.55～3.15∶2.31～2.83。
3.如權利要求1所述的低電阻的熱電材料，其特征是所述的熱電材料微結構的晶粒尺寸平均小于1000納米。
4.如權利要求1所述的低電阻的熱電材料，其特征是所述的熱電材料微結構的晶粒尺寸平均小于500納米。
5.如權利要求1所述的低電阻的熱電材料，其特征是所述銀、碲及銻占所述熱電材料的組成總重量90％以上。
6.如權利要求1所述的低電阻的熱電材料，其特征是所述熱電材料在室溫下的電阻率系低于0.01Ωcm。
7.一種低電阻的熱電材料的制備方法，包括如下步驟：
(A)提供至少包括銀、碲及銻元素的初始材料，其中所述銀、碲及銻的組成摩爾比例為1∶2.43～3.29∶2.18～2.96；
(B)將所述初始材料置于真空環境中，以至少高于500℃的溫度進行熔融；
(C)進行降溫冷卻后形成所述的熱電材料；
其中所述的熱電材料在室溫下的電阻率系低于0.1Ωcm。
8.如權利要求7所述的制備方法，其特征是步驟(B)中熔融的溫度為800℃，熔融時間為24小時。
9.如權利要求7所述的制備方法，其特征是步驟(C)是以1℃/min的降溫速率降至550℃，并在此溫度下退火120小時后再以冷水快速淬冷。
10.如權利要求7所述的制備方法，其特征是步驟(C)是將合金快速淬冷后，置于650℃的高溫爐中退火120小時后再以冷水快速淬冷。
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