[發明專利]制造半導體晶片的方法

無效

• 申請號: 201010583577.1
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102126175A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: G·皮奇;W·黑克爾;J·施萬德納;N·鮑諾什
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;H01L21/304;B28D5/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.制造半導體晶片的方法，其包括拉伸由半導體材料組成的單晶(3)，由單晶(3)切割半導體晶片(9)并且拋光所述半導體晶片(9)，其特征在于，在此使用的拋光墊包含牢固粘結的發揮磨料作用的固體材料，以及向在半導體晶片的待拋光的表面與拋光墊之間形成的工作間隙加入不包含發揮磨料作用的固體材料并且pH值在9.5至12.5之間的拋光劑。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于，在由熔體(2)拉伸由半導體材料組成的單晶(3)期間形成固相和液相，在液相與固相之間的界面(4)處由熔體(2)通過沉積進行晶體生長，該界面具有基本上是平面的形狀(5)、凹面的形狀(5a)或凸面的形狀(5b)。

3.制造半導體晶片的方法，其包括由熔體(2)拉伸由半導體材料組成的單晶(3)，由單晶(3)切割半導體晶片(9)并且拋光所述半導體晶片(9)，其特征在于，利用包含牢固粘結的發揮磨料作用的固體材料的拋光墊進行拋光，在拋光期間添加的拋光劑不包含發揮磨料作用的固體材料并且pH值在9.5至12.5之間，以及在晶體生長期間以強烈的且空間上高頻的波動的摻雜劑濃度產生單晶(3)的邊緣區域，而以低的且空間上低頻的波動的摻雜劑濃度產生中心區域。

4.根據權利要求3的方法，其特征在于，在由熔體(2)拉伸由半導體材料組成的單晶(3)期間形成固相和液相，在液相與固相之間的界面(4)處由熔體(2)通過沉積進行晶體生長，該界面具有凹面的形狀(5a)。

5.根據權利要求1或2或者根據權利要求3或4的方法，其特征在于，牢固粘結在拋光墊中的發揮磨料作用的固體材料選自氧化鈰、氧化鋁、氧化硅、氧化鋯、碳化硅、氮化硼和金剛石。

6.根據權利要求5的方法，其特征在于，牢固粘結在拋光墊中的發揮磨料作用的固體材料的平均粒徑為0.1至1.0μm。

7.根據權利要求3或4的方法，其特征在于，液相與固相之間的界面(5)具有近似為梯形的輪廓(14)。

8.根據權利要求3或4或者根據權利要求7的方法，其特征在于，在由熔體(2)拉伸的單晶(3)的邊緣區域內界面(4)的傾斜度大于單晶(3)的中心區域，從而在單晶(3)的邊緣區域內在液相與固相之間的界面(5)處引入的摻雜劑的徑向濃度波動大，而濃度最大值之間的徑向距離(7a)小。

9.根據權利要求8的方法，其特征在于，在由熔體(2)拉伸的單晶(3)的中心的界面(5)基本上為平面，從而在單晶(3)的中心在液相與固相之間的界面(4)處引入的摻雜劑的徑向濃度波動小，而濃度最大值之間的徑向距離(7b)大。

10.半導體晶片，其是通過權利要求8或權利要求9的方法制得的。