[發明專利]低壓差穩壓器有效
| 申請號: | 201010583386.5 | 申請日: | 2010-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN102566633A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 吳鎮宇 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 鄭小軍;馮志云 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低壓 穩壓器 | ||
1.一種低壓差穩壓器,包括:
一誤差放大器,依據一第一參考電壓以及一反饋電壓產生一控制電壓;
一功率晶體管,其柵極耦接該誤差放大器,該功率晶體管的源極耦接一電源電壓,依據該控制電壓而于其漏極產生一輸出電壓;
一第一分壓單元,耦接于該功率晶體管的漏極與一接地之間,分壓該輸出電壓以產生該反饋電壓;
一補償控制單元,耦接于該功率晶體管的柵極與漏極之間,依據該控制電壓、該輸出電壓與一補償偏壓產生一補償控制信號,其中該補償偏壓與該電源電壓以及環境溫度成反比;以及
一補償偏壓電流源,耦接該誤差放大器,依據該補償控制信號提供一補償偏壓電流給該低壓差穩壓器。
2.如權利要求1所述的低壓差穩壓器,還包括:
一電壓及溫度補償模塊,耦接該補償控制單元,產生該補償偏壓,并依據該電源電壓以及環境溫度的變化調整該補償偏壓。
3.如權利要求1所述的低壓差穩壓器,還包括:
一偏壓電流源,耦接該誤差放大器,提供該誤差放大器一偏壓電流。
4.如權利要求1所述的低壓差穩壓器,其中該第一分壓單元包括:
一第一電阻;以及
一第二電阻,與該第一電阻串接于該功率晶體管的漏極與一接地之間,并于該第一電阻與該第二電阻的共同接點上產生該反饋電壓。
5.如權利要求1所述的低壓差穩壓器,其中該補償控制單元包括:
一第一壓降檢測單元,耦接該功率晶體管的柵極,檢測該控制電壓,并依據該控制電壓的電壓電平變化輸出一第一補償信號;
一第二壓降檢測單元,耦接該功率晶體管的漏極,檢測該輸出電壓,并依據該輸出電壓的電壓電平變化以及該補償偏壓輸出一第二補償信號;以及
一補償控制信號產生單元,耦接該第一壓降檢測單元與該第二壓降檢測單元,依據該第一補償信號與該第二補償信號輸出該補償控制信號。
6.如權利要求5所述的低壓差穩壓器,其中該補償控制信號產生單元包括:
一第一P型晶體管,其柵極耦接該第二壓降檢測單元,該第一P型晶體管的源極與漏極分別耦接該電源電壓與該偏壓電流源;以及
一第一N型晶體管,其柵極耦接該第一壓降檢測單元,該第一N型晶體管的漏極與源極分別耦接該第一P型晶體管的漏極與該接地。
7.如權利要求6所述的低壓差穩壓器,其中該第一壓降檢測單元包括:
一第二P型晶體管,其柵極耦接該功率晶體管的柵極,該第二P型晶體管的源極耦接該電源電壓;
一第二N型晶體管,其柵極與源極相耦接,該第二N型晶體管的漏極與源極分別耦接該第二P型晶體管的漏極與一接地;
一第三P型晶體管,其柵極與漏極相耦接,該第三P型晶體管的源極與漏極分別耦接該電源電壓與該第一N型晶體管的柵極;以及
一第三N型晶體管,其柵極耦接該第二N型晶體管的柵極,該第三N型晶體管的漏極與源極分別耦接該第三P型晶體管的漏極與該接地。
8.如權利要求6所述的低壓差穩壓器,其中該第二壓降檢測單元包括:
一第四P型晶體管,其柵極耦接該第一P型晶體管的柵極,該第四P型晶體管的源極耦接該輸出電壓,該第四P型晶體管的漏極耦接該第四P型晶體管的柵極;以及
一第四N型晶體管,其柵極耦接該補償偏壓,該第四N型晶體管的漏極與源極分別耦接該第四P型晶體管的漏極與該接地。
9.如權利要求1所述的低壓差穩壓器,其中該補償偏壓電流源包括:
一第五N型晶體管,其柵極耦接該補償控制單元,該第五N型晶體管的漏極與源極分別耦接該誤差放大器與該接地。
10.如權利要求9所述的低壓差穩壓器,其中當該低壓差穩壓器操作在低負載時,該第五N型晶體管的柵極偏壓低于該第五N型晶體管的導通電壓。
11.如權利要求1所述的低壓差穩壓器,其中該電壓及溫度補償模塊包括:
一能隙參考電壓產生單元,產生一第二參考電壓與一第三參考電壓;
一電壓補償單元,依據該電源電壓的變化輸出一電壓補償控制信號;以及
一溫度補償單元,耦接該能隙參考電壓產生單元以及該電壓補償單元,依據該第二參考電壓、該第三參考電壓以及該電壓補償控制信號進行溫度補償與電壓補償,以輸出該補償偏壓。
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