[發(fā)明專利]等離子體發(fā)生器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010582747.4
• 申請日: 2010-12-10
• 公開（公告）號: CN102098865A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 糸村大輔;寺亮之介
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王小衡;王忠忠

1.?一種等離子體發(fā)生器，其被提供有圓柱形腔室部分，該圓柱形腔室部分具有圓柱電極（1）；孔板（4），其設(shè)置在所述圓柱形腔室部分中以便將所述圓柱形腔室部分分隔成具有進氣口（10）的第一腔室（2）和具有排氣口（11）的第二腔室（3）；桿狀電極（5），其設(shè)置在所述第二腔室（3）內(nèi)部并位于所述圓柱電極（1）的中心軸處，以及子電極（6），其設(shè)置在所述第一腔室（2）處并且能夠施加與所述圓柱電極（1）不同的電勢，

所述等離子體發(fā)生器在所述圓柱電極（1）與所述桿狀電極（5）之間施加電場以產(chǎn)生等離子體，

進一步在所述圓柱電極（1）和所述子電極（6）之間分離地施加電場以產(chǎn)生與在所述桿狀電極（5）和所述圓柱電極（1）之間產(chǎn)生的等離子體分離的等離子體，以及

具有通過所述孔板（4）的孔連接的所述第一腔室（2）和所述第二腔室（3）的等離子體區(qū)域。

2.?如權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生器，其中在所述桿狀電極（5）和所述圓柱電極（1）之間產(chǎn)生的等離子體是輝光放電，并且在所述圓柱電極（1）和所述子電極（6）之間產(chǎn)生的等離子體是輝光放電或弧光放電。

3.?如權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生器，其中所述第二腔室（3）的壓力低于所述第一腔室（2）的壓力。

4.?如權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生器，其中所述第二腔室（3）的壓力是300Pa至101kPa的壓力。

5.?如權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生器，其中從所述進氣口（10）引入的氣體是稀有氣體、烴和氧氣中的任何一種，或者是兩種或多種上述氣體的組合。

6.?如權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生器，其中從所述進氣口（10）引入的氣體是Ar、He、N₂、O₂、H₂、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₃H₈、CF₄、C₂F₆、SF₆、SiH₄、SiH₃Cl、SiH₂Cl₂、Si(CH₃)₄和(CH₃)₃Si-NH-Si(CH₃)₃中的任何一種，或者是兩種或多種上述氣體的組合。

7.?如權(quán)利要求1至6中任一項所述的等離子體發(fā)生器，其利用DLC來涂敷所述桿狀電極（5）的表面。

8.?如權(quán)利要求1至6中任一項所述的等離子體發(fā)生器，其在所述第二腔室（3）的內(nèi)部設(shè)置圓柱體（12）以便與所述圓柱電極（1）導電，并且其中圓柱體（12）的內(nèi)圓周表面的中心軸設(shè)置在所述圓柱電極（1）的中心軸處。

9.?如權(quán)利要求8所述的等離子體發(fā)生器，其利用DLC來涂敷所述圓柱體（12）的內(nèi)圓周表面。