[發明專利]提高臺階金屬覆蓋率的通孔刻蝕方法

無效

• 申請號: 201010582112.4
• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN102110642A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 王強;梁濤;王斌;劉勇;楊永暉
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種提高臺階金屬覆蓋率的通孔刻蝕方法，其特征在于，包括步驟：

1)準備硅襯底，并在硅襯底上淀積介質層；

2)在所述介質層上均勻涂布光致抗蝕劑，作為犧牲層；

3)根據實際通孔的需要，采用光刻曝光技術，圖案化所述犧牲層，在犧牲層上形成通孔圖案；

4)等離子體刻蝕所述介質層，形成通孔；

5)去除所述犧牲層。

2.根據權利要求1所述的提高臺階金屬覆蓋率的的通孔刻蝕方法，其特征在于，在步驟3)中，通過調整光刻的曝光顯影及高溫堅膜條件，將所述犧牲層的圖形邊緣傾斜度降低，使其頂部變得圓滑。

3.根據權利要求1所述的提高臺階金屬覆蓋率的的通孔刻蝕方法，其特征在于，在步驟4)中，以所述圖案化的犧牲層為掩蔽層，調整等離子體刻蝕機的腔室壓力、功率、氣體類型及流量等工藝參數，進行通孔刻蝕，得到開口具有一定斜度且頂部輪廓圓滑的介質通孔。

4.根據權利要求1所述的提高臺階金屬覆蓋率的的通孔刻蝕方法，其特征在于，所述介質層為二氧化硅層。

5.根據權利要求1所述的提高臺階金屬覆蓋率的的通孔刻蝕方法，其特征在于，所述的刻蝕氣體為CF₄和He。