[發明專利]一種降低硅片表面粗糙度和表面損傷的加工方法無效
| 申請號： | 201010581907.3 | 申請日： | 2010-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN102485420A | 公開（公告）日： | 2012-06-06 |
| 發明（設計）人： | 葛鐘;閆志瑞;庫黎明;索思卓;盛方毓 | 申請（專利權）人： | 有研半導體材料股份有限公司 |
| 主分類號： | B24B7/22 | 分類號： | B24B7/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩蘭 |
| 地址： | 100088*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 硅片 表面 粗糙 損傷 加工 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低硅片表面粗糙度和表面損傷的加工方法，其特征在于：它包括以下幾個步驟：
(1)、將經切片、倒角后的硅片置于垂直狀態，使用砂粒粒徑大于或等于5微米，小于或等于10微米的砂輪，對硅片的兩面同時進行加工；
(2)、將硅片置于水平狀態，固定硅片一面，使用砂粒粒徑小于或等于1微米的砂輪，對硅片另一表面進行修整磨削加工，加工完成后翻轉硅片，繼續對硅片未被加工的一面進行磨削加工，修整硅片表面形貌。
2.根據權利要求1所述的一種降低硅片表面粗糙度和表面損傷的加工方法，其特征在于：所述的硅片置于垂直狀態，是通過向硅片兩面噴射靜壓水，以維持硅片的垂直狀態。
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