[發(fā)明專利]一種大功率晶體管芯片硼鋁擴散工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010580992.1
• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN102074464A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高勇
• 申請（專利權(quán)）人: 西安衛(wèi)光科技有限公司
• 主分類號: H01L21/228
• 分類號: H01L21/228
• 代理公司: 西安西交通盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 61217
• 代理人: 黃瑞華

1.一種大功率晶體管芯片硼鋁擴散工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1)、源溶液配制：將純硝酸鋁a克、三氧化二硼b克溶于cml乙醇；

2)、硅片清洗：將硅片放入去離子水中超聲去砂，然后將去砂的硅片放入石英燒杯中，加入1號標(biāo)準(zhǔn)清洗液，加熱至沸騰，保持5-10分鐘，然后取出用去離子水洗干凈；

3)、硅片烘干：將步驟2)清洗干凈的硅片用無水乙醇脫水，然后放入120±3℃烘箱中烘干；

4)、將步驟3)烘干后的硅片表面均勻涂覆步驟1)配好的源溶液，然后放入石英舟中，將載有硅片的石英舟放入擴散爐中，升溫至1260±1℃恒溫8-10小時；

其中a∶b∶c＝40∶(1.5-2.5)∶500。

2.如權(quán)利要求1所述一種大功率晶體管芯片硼鋁擴散工藝，其特征在于，步驟1)中所述乙醇為電子純無水乙醇。

3.如權(quán)利要求1所述一種大功率晶體管芯片硼鋁擴散工藝，其特征在于，所述1號標(biāo)準(zhǔn)清洗液為NH₄OH/H₂O₂/H₂O按照1∶(1-2)∶(5-7)的體積比混合的溶液。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述一種大功率晶體管芯片硼鋁擴散工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1)、源溶液配制：將純硝酸鋁40克、三氧化二硼1.5克溶于500ml乙醇；

2)、硅片清洗：將硅片放入去離子水中超聲去砂，然后將去砂的硅片放入石英燒杯中，加入1號標(biāo)準(zhǔn)清洗液，加熱至沸騰，保持5分鐘，然后取出用去離子水洗干凈；

3)、硅片烘干：將步驟2)清洗干凈的硅片用無水乙醇脫水，然后放入120±3℃烘箱中烘干；

4)、將步驟3)烘干后的硅片表面均勻涂覆步驟1)配好的源溶液，然后放入石英舟中，將載有硅片的石英舟放入擴散爐中，升溫至1260±1℃恒溫8小時。

5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述一種大功率晶體管芯片硼鋁擴散工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1)、源溶液配制：將純硝酸鋁40克、三氧化二硼2克溶于500ml乙醇；

2)、硅片清洗：將硅片放入去離子水中超聲去砂，然后將去砂的硅片放入石英燒杯中，加入1號標(biāo)準(zhǔn)清洗液，加熱至沸騰，保持8分鐘，然后取出用去離子水洗干凈；

3)、硅片烘干：將步驟2)清洗干凈的硅片用無水乙醇脫水，然后放入120±3℃烘箱中烘干；

4)、將步驟3)烘干后的硅片表面均勻涂覆步驟1)配好的源溶液，然后放入石英舟中，將載有硅片的石英舟放入擴散爐中，升溫至1260±1℃恒溫9小時。

6.如權(quán)利要求1至3中任一項所述一種大功率晶體管芯片硼鋁擴散工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1)、源溶液配制：將純硝酸鋁40克、三氧化二硼2.5克溶于500ml乙醇；

2)、硅片清洗：將硅片放入去離子水中超聲去砂，然后將去砂的硅片放入石英燒杯中，加入1號標(biāo)準(zhǔn)清洗液，加熱至沸騰，保持10分鐘，然后取出用去離子水洗干凈；

3)、硅片烘干：將步驟2)清洗干凈的硅片用無水乙醇脫水，然后放入120±3℃烘箱中烘干；

4)、將步驟3)烘干后的硅片表面均勻涂覆步驟1)配好的源溶液，然后放入石英舟中，將載有硅片的石英舟放入擴散爐中，升溫至1260±1℃恒溫10小時。