[發(fā)明專利]被覆件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010580447.2
• 申請(qǐng)日: 2010-12-09
• 公開（公告）號(hào): CN102534476A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;劉咸柱;李聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種被覆件，包括基體及依次形成于基體表面的阻擋層、抗氧化層，其特征在于：所述阻擋層為銥金屬層，所述抗氧化層為氮氧化鉻層。

2.如權(quán)利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述基體的材質(zhì)為鈮合金。

3.如權(quán)利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述阻擋層及抗氧化層通過磁控濺射鍍膜法形成。

4.如權(quán)利要求1或3所述的被覆件，其特征在于：所述阻擋層的厚度為2～3.5μm。

5.如權(quán)利要求1或3所述的被覆件，其特征在于：所述抗氧化層的厚度為2～3.5μm。

6.一種被覆件的制造方法，包括以下步驟：

提供基體；

于基體上磁控濺射阻擋層，所述阻擋層為銥金屬層；

于所述阻擋層上磁控濺射抗氧化層，所述抗氧化層為氮氧化鉻層。

7.如權(quán)利要求6所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控濺射所述阻擋層的步驟采用如下方式實(shí)現(xiàn)：以氬氣為工作氣體，設(shè)置其流量為20～150sccm，采用銥靶為靶材，設(shè)置其電源功率為2～5kw，對(duì)基體施加-100～-300V的偏壓，鍍膜氣壓12～18Pa，鍍膜溫度為100～200℃，鍍膜時(shí)間為150～250min。

8.如權(quán)利要求6所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控濺射所述抗氧化層的步驟采用如下方式實(shí)現(xiàn)：以氬氣為工作氣體，設(shè)置其流量為20～150sccm，以氮?dú)饧把鯕鉃榉磻?yīng)氣體，設(shè)置氮?dú)獾牧髁繛?0～50sccm、氧氣的流量為20～80sccm，采用鉻靶為靶材，設(shè)置其電源功率為2～5kw，對(duì)基體施加-100～-300V的偏壓，鍍膜溫度為100～200℃，鍍膜時(shí)間為150～250min。

9.如權(quán)利要求6所述的被覆件的制造方法，其特征在于：所述被覆件的制造方法還包括在磁控濺射所述阻擋層前對(duì)所述基體進(jìn)行氬氣等離子體清洗的步驟。