[發明專利]一種碳化硅-氧化鋁-碳化硼三元陶瓷及其制備方法

無效

• 申請號: 201010580129.6
• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN102557639A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 石汝軍;王灼;朱治永;劉曉東;潘志粉
• 申請（專利權）人: 淄博高新區聯創科技服務中心
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B35/10;C04B35/622
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳化硅-氧化鋁-碳化硼三元陶瓷，其特征在于采用碳化硅、氧化鋁和碳化硼為主要原料，其配方的重量百分比為碳化硅40-60％，氧化鋁20-40％，碳酸鈣粉5％，二氧化硅10％，石蠟5％；制得的陶瓷孔隙率為60％-80％。

2.如權利要求1的碳化硅-氧化鋁-碳化硼三元陶瓷，其中陶瓷的孔隙率為70％

3.如權利要求1的碳化硅-氧化鋁-碳化硼三元陶瓷的制備方法，其特征在于把碳化硅粉、氧化鋁粉和碳化硼粉，分別過325目標準篩，取篩下部分；然后按下述比例混合：碳化硅40-60％，氧化鋁20-40％，碳酸鈣粉5％，二氧化硅10％，混合后在120℃加熱6小時制成粉料備用。石蠟5％在125℃下混合均勻，制成增塑劑備用；把混料機升溫至125℃，加入配制好的增速劑，然后邊攪拌邊加入上述混合好的粉料，全部加完后繼續攪拌6小時，倒出冷卻制成料錠。把上述料錠用陶瓷注射成型機按以下技術參數依模具制成若干形狀的陶瓷生坯：料缸溫度90-130℃，射嘴溫度90-120℃，成形壓力4-20Mpa，注射時間2-10秒，保壓時間10-30秒，模具溫度30-40℃；生坯經1200-1400℃的高溫焙燒制得碳化硅-氧化鋁-碳化硼三元陶瓷。

4.如權利要求3的碳化硅-氧化鋁-碳化硼三元陶瓷的制備方法，其中料缸溫度為120℃，射嘴溫度為100℃，成形壓力為20Mpa。