[發明專利]一種去除鋰電解質KCl-LiCl中雜質MgCl2的方法無效
| 申請號: | 201010578101.9 | 申請日: | 2010-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN102002730A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | 李冰;申淼;樓經緯;李素貞;于建國 | 申請(專利權)人: | 華東理工大學 |
| 主分類號: | C25C3/04 | 分類號: | C25C3/04 |
| 代理公司: | 上海順華專利代理有限責任公司 31203 | 代理人: | 談順法 |
| 地址: | 200237 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 電解質 kcl licl 雜質 mgcl sub 方法 | ||
技術領域
本發明涉及堿金屬Li的提純工藝,屬于電化學冶金領域,特別涉及一種熔鹽電化學方法去除鋰電解質KCl-LiCl中雜質MgCl2的方法。
背景技術
當前金屬鋰唯一的工業生產方法是氯化鋰-氯化鉀熔鹽電解法。LiCl-KCl體系為簡單的二元共晶系,共晶點時LiCl的組成為50(wt)%左右。工業電解時,電解質中氯化鋰含量為55(wt)%,氯化鉀含量為45(wt)%,電解溫度在390-450℃之間,氯化鉀作為支持電解質起穩定和降低熔點的作用。工業鋰電解槽采用石墨陽極和低碳鋼陰極在直流電作用下,陽極產生氯氣,陰極產生鋰。電解法得到的產品純度約為95-99wt%,含有K、Na、Al、Ca、Si、Fe、Mg、Ni等雜質。然而,在眾多的金屬鋰應用領域,如鋰電池、含鋰結構合金以及核能發電等高新技術領域的應用,均要求鋰的純度在99.9wt%以上,因為雜質對容器材料產生腐蝕,無法滿足原子能工業中反應堆冷卻劑、航空工業用鋁鋰合金和高能鋰電池負極材料的要求。
目前生產純度在99.9wt%以上的金屬鋰需要采取另外的提純措施。提純金屬鋰的方法有真空蒸餾法、過濾法、區熔法、吸氣法、精餾法等。真空蒸餾法是在600-800℃下的不銹鋼蒸餾爐內進行的,該法需要將鋰大部分蒸發,每公斤純鋰需要耗用52度電,電能消耗大,蒸餾效率低;而過濾法一般用于去除鋰中難熔的雜質,但易與金屬鋰形成合金的Mg、Al、Ca等則難以除去;區熔法提純鋰的最大困難在于液態鋰對容器的產生嚴重腐蝕,對雜質鈣的提純效果較差;這些提純金屬鋰中雜質的方法均增大了高純金屬鋰的生產成本,經估算將純度為98.5wt%的金屬鋰提純為99.9wt%,其成本約10萬元/噸。基于以上原因,完全有必要對雜質去除方法進行改進,以提高產品純度。
發明內容
針對現有技術的缺陷,本發明采用電化學方法,在電解得到金屬鋰之前去除雜MgCl2。該方法操作簡單,可在Li電解前進行,不影響后續電解工藝,有效降低了鋰電解質KCl-LiCl中雜質MgCl2的含量,因而從源頭上降低了后續金屬Li電解過程中雜質Mg的含量。
本發明是通過如下技術方案實現的:
1、配制電解質:在LiCl-KCl中添加MgCl2配制電解質LiCl-KCl-MgCl2體系,其中,LiCl∶KCl的摩爾比為1∶1,MgCl2為LiCl-KCl-MgCl2總質量的1.0wt%~5wt%;
2、確定Mg的析出電位:采用鎢絲作為工作電極,采用Ag/AgCl作為參比電極,即:將Ag絲插入裝有LiCl-KCl-AgCl電解質的陶瓷管中,其中LiCl∶KCl的摩爾比為1∶1,AgCl的摩爾數為LiCl-KCl-AgCl總摩爾數的4%;光譜純石墨為對電極;在450℃下,利用方波伏安法,以50mv/s的掃描速度掃描,確定Mg的析出電位;
3、電解:將金屬鉛作為陰極,在450℃下鉛電極為液態;采用Ag/AgCl作為參比電極,即:將Ag絲插入裝有LiCl-KCl-AgCl電解質的陶瓷管中,其中LiCl∶KCl的摩爾比為1∶1,AgCl的摩爾數為LiCl-KCl-AgCl總摩爾數的4%;光譜純石墨作為陽極;在Mg的析出電位下采用恒電位電解的方法進行電解,電解時間為4.2~10小時,Mg即在鉛陰極上析出,之后將溫度降至20~30℃,移出陰極。
有益效果
本發明采用氯化鋰-氯化鉀熔鹽電解法制備金屬鋰時,可在電解得到金屬鋰之前先對基礎電解質KCl-LiCl中的雜質MgCl2進行去除,與現有的一些金屬Li提純工藝相比,本方法方便快捷,省去了蒸餾法提純繁瑣的工藝流程,能有效地降低高純鋰制備的成本,同時采用鉛作為去除雜質的陰極,成本低,操作方便簡單,無需特殊加工。
附圖說明
圖1除雜用電解槽示意圖。
其中,1-冷卻水出口;2-出氣口;3-進氣口;4-引線;5-冷卻水進口;6-光譜純石墨對電極;7-鎢絲工作電極;8-Ag/AgCl參比電極;9-KCl-LiCl-MgCl2熔鹽;10-Pb陰極;11-氧化鋁坩堝(底部帶孔);12-光譜純石墨坩堝;13-不銹鋼反應器;14-加熱爐。
圖2LiCl-KCl-MgCl2(2wt%)體系中Mg2+在鎢絲電極上還原的方波伏安圖譜;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華東理工大學,未經華東理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010578101.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:平板膜復合膜機
- 下一篇:階梯型齒的旋渦發生器





