[發明專利]高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201010577620.3
• 申請日: 2010-12-03
• 公開（公告）號: CN102041477A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 吳韜;方燕翎;王琦;丁靚
• 申請（專利權）人: 吳韜
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/34
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于它的步驟如下：

1)超聲波條件下依次用有機溶劑和去離子水清洗基材，干燥；

2)基材用篩網遮擋，放入濺射反應室中，抽真空，加熱，先以金屬鋅為靶材，通入工作氣，壓強控制在0.5～2.0Pa，在基材上濺射生長單質鋅薄膜；然后將篩網去除，以金屬鈦為靶材，通入反應氣體，壓強控制在0.5～2.0Pa，在單質鋅薄膜上濺射生長氧化鈦薄膜，以此交替重復多次，得到單質鋅和氧化鈦的疊層復合膜；

3)將單質鋅和氧化鈦的疊層復合膜在1×10^-6～1×10^-1mol/L酸液中浸泡，干燥，得到高比表面的二氧化鈦薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于所述的以此交替重復多次，得到單質鋅和鈦氧化物的疊層復合膜中，每鍍一定層數的疊層復合膜，用酸液除去單質鋅。

3.一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于它的步驟如下：

1)超聲波條件下依次用有機溶劑和去離子水清洗基材，干燥；

2)基材用篩網遮擋，放入濺射反應室中，抽真空，加熱，以金屬鋅為靶材，通入反應氣體和工作氣體，壓強控制在0.5～2.0Pa，在基材上濺射生長氧化鋅薄膜，然后將篩網去除，以金屬鈦為靶材，在氧化鋅薄膜上濺射生長氧化鈦薄膜，以此交替重復多次，得到氧化鋅和氧化鈦疊層復合膜；

3)將氧化鋅和氧化鈦疊層復合膜在1×10^-6～1×10^-1mol/L的酸液中浸泡，干燥，得到高比表面的二氧化鈦薄膜。

4.根據權利要求3所述的一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于所述的以此交替重復多次，得到氧化鋅和氧化鈦疊層復合膜中，每鍍一定層數的疊層復合膜，用酸液除去氧化鋅。

5.一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于它的步驟如下：

1)超聲波條件下依次用有機溶劑和去離子水清洗基材，干燥；

2)將基材放入濺射反應室中，加熱，通入反應氣體和工作氣體，以金屬鋅和金屬鈦為靶材，壓強控制在0.5～2.0Pa，在基材上同時濺射生長氧化鋅和氧化鈦，氧化鋅和氧化鈦互相摻雜，得到氧化鋅和氧化鈦復合膜層；

3)將氧化鋅和氧化鈦復合膜層在1×10^-6～1×10^-1mol/L酸液中浸泡，干燥，得到高比表面的二氧化鈦薄膜。

6.根據權利要求1、3或5所述的一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：步驟1)中所述的有機溶劑為丙酮、氯仿、甲醇或乙醇。

7.根據權利要求1、3或5所述的一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的基材是FTO導電玻璃、ITO導電玻璃、AZO導電玻璃、普通玻璃、陶瓷、聚乙烯、聚苯乙烯或無紡布。

8.根據權利要求1、3或5所述的一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的反應氣體是純氧或空氣；工作氣體為氬氣、氮氣或氬氣和氮氣的混合氣體。

9.根據權利要求1、3或5所述的一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的酸液為稀鹽酸、稀硫酸、醋酸、草酸、稀磷酸或稀硝酸。

10.根據權利要求1、3或5所述的一種高比表面二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的高比表面的二氧化鈦薄膜在80～600℃條件下退火處理0.1～1.5小時。