[發(fā)明專利]太陽能接收器的蓋板玻璃及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010577435.4
• 申請日: 2010-11-29
• 公開（公告）號: CN102126831A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭建瑋;夏建業(yè);范利寧
• 申請（專利權(quán)）人: 常州國基能源科技有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;H01L31/048;H01L31/0216;F24J2/50
• 代理公司: 常州市天龍專利事務(wù)所有限公司 32105
• 代理人: 夏海初

1.一種太陽能接收器的蓋板玻璃，包括鋼化低鐵浮法玻璃基體(1)，其特征在于，在所述基體(1)表面鍍有SiO₂膜層(2)，在所述SiO₂膜層(2)的表面鍍有TiO₂膜層(3)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能接收器的蓋板玻璃，其特征在于，所述SiO₂膜層(2)和TiO₂膜層(3)各有1層或2層或3層或4層，且所述SiO₂膜層(2)和TiO₂膜層(3)由內(nèi)至外依次交替布置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能接收器的蓋板玻璃，其特征在于，鍍在所述基體(1)表面的SiO₂膜層(2)的厚度在100～120nm范圍內(nèi)，鍍在最外面一層的TiO₂膜層(3)的厚度在80～120nm范圍內(nèi)，其余的SiO₂膜層(2)的厚度在15～25nm范圍內(nèi)，其余的TiO₂膜層(3)的厚度在5～15nm范圍內(nèi)。

4.一種制備如權(quán)利要求1所述的太陽能接收器的蓋板玻璃的方法，以鋼化低鐵浮法玻璃為制備基體(1)，其特征在于，采用具有PEM等離子體發(fā)射監(jiān)控器的設(shè)有Si靶和Ti靶的中頻反應(yīng)磁控濺射鍍膜機為制備設(shè)備，依次包括以下步驟：

a、基體表面清洗；對所述基體(1)表面實施清洗、烘干；

b、基體表面二次清洗；所述二次清洗是在所述鍍膜機的真空鍍膜室內(nèi)，在抽真空和有保護氣體條件下，給經(jīng)a步驟處理的基體(1)通直流電，轟擊基體(1)表面，去除基體(1)表面殘存的雜質(zhì)及附著的氣體。

c、鍍所述SiO₂膜層(2)；緊接b步驟，待真空鍍膜室內(nèi)達到本底真空度后，通入工作氣體Ar和反應(yīng)氣體O₂，打開硅靶電源并調(diào)節(jié)至工作電流，開始鍍SiO₂減反射膜層(2)，直至所述SiO₂膜層(2)達到所需厚度后，關(guān)閉硅靶電源；

d、鍍所述TiO₂膜層(3)；緊接c步驟，待真空鍍膜室內(nèi)達到本底真空度后，通入工作氣體Ar及反應(yīng)氣體O₂，打開Ti靶電源并調(diào)節(jié)至工作電流，開始在所述SiO₂膜層(2)的表面鍍所述TiO₂膜層(3)，直至TiO₂膜層(3)達到所需厚度后，關(guān)閉Ti靶電源；當(dāng)所述SiO₂膜層(2)和TiO₂膜層(3)有多層時，則所述鍍SiO₂膜層(2)和鍍TiO₂膜層(3)交替進行；

e、退火處理；將經(jīng)d步驟鍍膜的制件，在450～550℃溫度范圍內(nèi)，保溫1～2h，然后隨爐冷卻實施退火處理，令TiO₂發(fā)生相變，使之轉(zhuǎn)變?yōu)榕c水具有更強親和力的銳鈦礦相。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能接收器的蓋板玻璃的制備方法，其特征在于，所述步驟b二次清洗的保護氣體為Ar氣，其真空度為0.1～20Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能接收器的蓋板玻璃的制備方法，其特征在于，所述c步驟鍍SiO₂膜層(2)和d步驟鍍TiO₂膜層(3)的電壓在350～700V范圍內(nèi)，其電流在30～50A范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能接收器的蓋板玻璃的制備方法，其特征在于，所述c步驟鍍SiO₂膜層(2)和d步驟鍍TiO₂膜層(3)的真空鍍膜室內(nèi)的本底真空度為6×10^-3Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能接收器的蓋板玻璃的制備方法，其特征在于，所述c步驟鍍SiO₂膜層(2)和d步驟鍍TiO₂膜層(3)，是在2個隔開的真空膜室內(nèi)依次進行的，且Si靶和Ti靶分別置于2個隔開的真空鍍膜室內(nèi)。