[發明專利]一種摻雜石墨烯的制備方法及其用途有效
| 申請號: | 201010577424.6 | 申請日: | 2010-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN102486993A | 公開(公告)日: | 2012-06-06 |
| 發明(設計)人: | 宮建茹;郭北斗 | 申請(專利權)人: | 國家納米科學中心 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人: | 劉丹妮;郭廣迅 |
| 地址: | 100190 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 摻雜 石墨 制備 方法 及其 用途 | ||
1.一種摻雜石墨烯的制備方法,所述方法包括以下步驟:
1)處理石墨烯,使石墨烯產生缺陷;
2)在含有摻雜元素的氣氛中,對經步驟1)處理的石墨烯進行退火處理。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其中,所述處理石墨烯通過離子注入、等離子體轟擊和/或刻蝕進行。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法,其中,所述離子注入包括將石墨烯在真空條件下注入離子;優選地,所述真空條件為不小于10-4Mpa的真空度;
可選地,所述等離子體轟擊和/或刻蝕包括:將石墨烯在真空條件下進行等離子體輻照;優選地,所述真空條件為不小于10-4Mpa的真空度。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的制備方法,其中,所述缺陷為在石墨烯結構中產生碳原子缺失。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的制備方法,其中,所述含有摻雜元素的氣氛中至少含有一種要摻雜的元素,優選地,所述元素選自氮、磷和硼。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的制備方法,其中,所述含有摻雜元素的氣氛中的摻雜元素是直接以氣體形式分解提供于氣氛中的,或者在退火環境下由固體化合物產生包含摻雜元素的氣體來提供的。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的方法,其中,所述含有摻雜元素的固體化合物為包含氮、磷和硼的一種或任意多種的化合物。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的方法,其中,所述退火溫度為能使含摻雜元素的氣體或者固體化合物分解產生該摻雜元素的溫度,退火時間為能使產生缺陷后的石墨烯結構恢復的時間。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的方法制備的摻雜石墨烯。
10.根據權利要求9所述的摻雜石墨烯在制備半導體材料中的用途。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國家納米科學中心,未經國家納米科學中心許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010577424.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:實現動態口令認證的注冊方法、裝置和系統
- 下一篇:易拆裝篩網張緊裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





