[發(fā)明專利]制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法和有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010574350.0
• 申請日: 2010-11-29
• 公開（公告）號: CN102110788A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金元容
• 申請（專利權(quán)）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;李娜娜

1.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括如下步驟：

在基板上形成第一電極；

在基板和第一電極上形成像素限定層，所述像素限定層包括暴露第一電極的預(yù)定的區(qū)域的開口；

在像素限定層上和像素限定層的開口的內(nèi)部形成電荷傳輸層；

在電荷傳輸層上執(zhí)行疏水加工；

在電荷傳輸層上執(zhí)行親水加工，使得電荷傳輸層的與開口對應(yīng)的部分制成親水的；

在電荷傳輸層上形成有機(jī)發(fā)光層；

形成電連接到有機(jī)發(fā)光層的第二電極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，將有機(jī)發(fā)光層形成在所述開口內(nèi)部。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，電荷傳輸層包括空穴傳輸層和空穴注入層中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行疏水加工的步驟包括在氟基氣體的氣氛下使用等離子體或紫外燈。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，氟化物基氣體是CF₄。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行親水加工的步驟包括將紫外光輻射到電荷傳輸層的與開口對應(yīng)的區(qū)域上。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，執(zhí)行親水加工的步驟還包括在空氣或氮?dú)獾臍夥罩惺褂米贤夤狻?/p>

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，執(zhí)行親水加工的工藝還包括：

提供掩模，所述掩模具有分別與開口對應(yīng)的透射區(qū)域；

使用紫外燈通過掩模輻射紫外光。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，將紫外光輻射到電荷傳輸層的與開口對應(yīng)的區(qū)域的步驟包括使用紫外激光。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，通過掃描聚焦為大小與開口對應(yīng)的紫外激光束來執(zhí)行親水加工。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，親水加工包括使所述開口的底表面和側(cè)表面上的電荷傳輸層的部分是親水的的步驟。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行親水加工的步驟包括僅使在像素限定層的開口的內(nèi)部的電荷傳輸層的上表面是親水的。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在親水加工之后，在圍繞開口的像素限定層的上表面上限定電荷傳輸層的疏水部分。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在每個開口內(nèi)部的親水的電荷傳輸層的部分完全被疏水的電荷傳輸層的部分圍繞。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在親水加工之前執(zhí)行疏水加工。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，

在電荷傳輸層的整個上表面上執(zhí)行疏水加工，

僅在電荷傳輸層的與開口對應(yīng)的部分上執(zhí)行親水加工。

17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用噴印方法來形成有機(jī)發(fā)光層。

18.一種按照權(quán)利要求1的方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。