[發明專利]像素陣列基板與液晶顯示裝置有效
| 申請號: | 201010573902.6 | 申請日: | 2010-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN102479792A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | 陳建宏;楊清喆 | 申請(專利權)人: | 奇美電子股份有限公司;群康科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 陣列 液晶 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明是有關于一種基板及顯示裝置,且特別是有關于一種像素陣列基板及液晶顯示裝置。
背景技術
針對多媒體社會的急速進步,多半受惠于半導體元件或顯示裝置的飛躍性進步。就顯示裝置而言,具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。
近來,部分液晶顯示裝置的像素電極會設計為米字形,如圖1。然而,因為像素電極100的各部分的寬度通常只有3微米至5微米,一旦有任一斷線處(如R12與R14),就會導致像素電極100處于浮置狀態的部分110無法規范液晶分子的倒向而產生缺陷。另外,實驗發現,采用米字形的像素電極100的液晶顯示裝置仍存在光穿透率較低的問題,導致畫面的對比無法提升。
發明內容
本發明提供一種像素陣列基板,可減少制造過程中所產生的不良缺陷而導致像素電極的部分區域處于浮置狀態的幾率。
本發明提供一種液晶顯示裝置,可解決采用米字形的像素電極時光穿透率較低的問題。
本發明的像素陣列基板具有多個像素電極。各像素電極具有一第一主干、一第二主干、多個第一分支以及多個第二分支。第一主干與第二主干實質上互相垂直連接而依序定義出一第一象限、一第二象限、一第三象限與一第四象限。各第一分支連接第一主干或第二主干。位于同一象限的第一分支的方位角實質上相同。各第二分支連接多個第一分支。各象限具有至少一個第二分支。
本發明的液晶顯示裝置包括前述的像素陣列基板、一對向基板以及一液晶層。
在本發明的一實施例中,第一象限的第一分支的方位角介于40度至50度間,第二象限的第一分支的方位角介于130度至140度間,第三象限的第一分支的方位角介于220度至230度間,第四象限的第一分支的方位角介于310度至320度間。
在本發明的一實施例中,各象限的第二分支與各象限的第一分支實質上垂直連接。
在本發明的一實施例中,各象限具有多個第二分支,位于同一象限的第二分支的方位角實質上相同。此外,位于同一象限的第二分支之間的間距例如為10微米。
在本發明的一實施例中,位于同一象限的兩條相鄰第一分支的同一側的距離為5微米至7微米。
在本發明的一實施例中,各第一分支的寬度為2微米至3.5微米。
在本發明的一實施例中,各第二分支的寬度為2微米至10微米。
在本發明的一實施例中,各像素電極更具有一外框,外框環繞各像素電極的四周并連接第一主干、第二主干與第一分支。
在本發明的一實施例中,液晶顯示裝置更包括一背光模塊,而像素陣列基板與對向基板配置于背光模塊上。
基于上述,在本發明的像素陣列基板及液晶顯示裝置中,第二分支的設計降低像素電極的部分區域處于浮置狀態的幾率,也提升顯示畫面的對比。
附圖說明
為讓本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂,以下結合附圖對本發明的具體實施方式作詳細說明,其中:
圖1是已知的像素陣列基板的局部上視示意圖。
圖2為本發明一實施例的液晶顯示裝置的局部剖示圖。
圖3為圖2的液晶顯示裝置的像素陣列基板的局部上視示意圖。
圖4是本發明另一實施例的像素陣列基板的局部上視示意圖。
主要元件符號說明:
100:像素電極
110:像素電極處于浮置狀態的部分
R12、R14:斷線處
1000:液晶顯示裝置
1100、2100:像素陣列基板
1110、2110:像素電極
1130:掃描線
1140:數據線
1150:有源元件
1190:配向層
1200:對向基板
1210:共用電極
1220:配向層
1300:液晶層
1306:液晶穩定聚合物層
1400:彩色濾光層
1410:黑矩陣
1420:彩色濾光膜
1500:背光模塊
1610、1620:偏振片
B110、B210:第一主干
B120、B220:第二主干
B130、B230:第一分支
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





