[發(fā)明專利]無掩膜光刻裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010573808.0
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102478767A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝常青;潘一鳴;朱效立;劉明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: G03F7/207
• 分類號: G03F7/207;G02B5/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種無掩膜光刻裝置，其特征在于，包括：

聚焦衍射光學(xué)元件，用于將預(yù)設(shè)的光刻圖形轉(zhuǎn)移至襯底；

第一莫爾光柵組，位于所述聚焦衍射光學(xué)元件所在的平面上，包括至少兩個莫爾光柵，用于利用所述至少兩個莫爾光柵產(chǎn)生的莫爾條紋的移動來調(diào)節(jié)所述聚焦衍射光學(xué)元件與所述襯底的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，所述第一莫爾光柵組包括周期方向相同的第一莫爾光柵和第二莫爾光柵；

當光從所述第一莫爾光柵入射，所述調(diào)焦組件和所述聚焦衍射光學(xué)元件所在的平面與襯底所在的平面的距離變化為ΔG時，所述第二莫爾光柵的莫爾條紋移動：

ΔXmor=ΔGtgθ·P1+P2|P2-P1|,]]>

其中，θ為入射光的入射角；P₁為第一莫爾光柵的周期，P₂為第二莫爾光柵的周期。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，所述第一莫爾光柵的周期P₁和第二莫爾光柵的周期P₂接近，均位于1μm至10μm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，所述第一莫爾光柵的周期P₁為2μm；第二莫爾光柵的周期P₂為2.2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，還包括：

第二莫爾光柵組，包括周期方向相同的第三莫爾光柵和第四莫爾光柵，用于從與所述第一光柵組垂直的方向調(diào)節(jié)所述聚焦衍射光學(xué)元件與所述襯底的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，所述的聚焦衍射光學(xué)元件為波帶片或光子篩。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，所述波帶片由一系列透明環(huán)帶組成，每一透明環(huán)帶的中心半徑為r_n，寬度為w_n，其中：

r_n²＝2nfλ+n²λ²，n＝1，2，3......，

w_n＝λ/2r_n，其中λ為波長，f為焦距。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，所述光子篩由一系列隨機分布的透光圓孔組成。它們分布在中心半徑為r_n，寬度為w_n的環(huán)帶上，所述透光圓孔之間不重疊，所述透光圓孔的圓心分布在環(huán)帶中心半徑r_n上，其中：

r_n²＝2nfλ+n²λ²，n＝1，2，3，......，

對應(yīng)r_n上的透光圓孔的直徑為：d_n＝w_n＝λ/2r_n，其中λ為波長，f為焦距。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，所述第一莫爾光柵組位于所述聚焦衍射光學(xué)元件的水平或垂直方向的兩側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的無掩膜光刻裝置，其特征在于，所述聚焦衍射光學(xué)元件和所述第一莫爾光柵組通過刻蝕鍍不透光金屬薄膜的透光襯底形成。