[發明專利]雙重圖形化方法

有效

• 申請號: 201010573305.3
• 申請日: 2010-12-03
• 公開（公告）號: CN102486996A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 張海洋;周俊卿
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種雙重圖形化方法，其特征在于，包括：

分別提供基底和壓印模具，所述基底上形成有硬掩膜層，所述壓印模具具有第一圖形；

使用所述壓印模具對所述硬掩膜層進行壓印，將所述第一圖形轉移至所述硬掩膜層，壓印后的硬掩膜層包括多個突出部；

在所述突出部的側壁上形成側墻；

去除所述壓印后的硬掩膜層，所述側墻分布構成第二圖形。

2.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述使用所述壓印模具對所述硬掩膜層進行壓印包括：對所述硬掩膜層進行軟化；使用所述壓印模具對所述硬掩膜層進行沖壓；對所述硬掩膜層進行凍結；移除所述壓印模具。

3.根據權利要求2所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述軟化包括對所述硬掩膜層進行加熱。

4.根據權利要求2所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述凍結包括對所述硬掩膜層進行冷卻。

5.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料選自金屬、金屬氮化物、硅的氧化物、硅的氮化物或硅的碳化物。

6.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為鈦、氮化鈦或鉻。

7.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述去除所述壓印后的硬掩膜層包括：

在所述基底上形成填充層，填充相鄰側墻之間的空隙，所述填充層的表面與所述突出部的表面齊平；

對所述側墻、填充層和突出部的表面進行平坦化，至所述側墻具有平坦的表面；

去除所述填充層和突出部。

8.根據權利要求7所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述填充層的材料和所述硬掩膜層的材料相同。

9.根據權利要求7所述的雙重圖形化方法，其特征在于，使用濕法刻蝕去除所述填充層和突出部。

10.根據權利要求7所述的雙重圖形化方法，其特征在于，使用化學機械拋光對所述側墻、填充層和突出部的表面進行平坦化。

11.根據權利要求7所述的雙重圖形化方法，其特征在于，還包括：以所述平坦化后的側墻為掩膜對所述基底進行刻蝕，將所述第二圖形轉移至所述基底。

12.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述壓印模具的材料為兩種或兩種以上金屬的合金，或金剛石。