[發(fā)明專利]相位移掩模版及其制造方法、霧狀缺陷檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010573244.0
• 申請日: 2010-12-03
• 公開（公告）號: CN102486604A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡華勇;張士健;林益世
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/44;G03F7/20;H01L21/66;H01L21/02;G01N21/956
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種相位移掩模版，其特征在于，包括：

掩模版基板，所述掩模版基板包括：透明基材；位于所述透明基材上的相位移層；位于所述相位移層上的遮蔽層；

位于所述掩模版基板上的至少一個切割滑道；

位于除所述切割滑道所在區(qū)域外的所述掩模版基板上的多個器件圖案；

位于所述掩模版基板上且位于所述切割滑道所在區(qū)域內(nèi)的至少一個檢測圖案，所述檢測圖案用于檢測所述相位移掩模版上的霧狀缺陷；

位于掩模版基板邊緣的擋光區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述檢測圖案的掩模誤差增強(qiáng)因子大于或等于3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相位移掩模版，其特征在于，所述檢測圖案同所述器件圖案相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相位移掩模版，其特征在于，所述檢測圖案包括：所述相位移掩模版的最小設(shè)計尺寸圖形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述透明基材的材料為二氧化硅或氟化鈣。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述遮蔽層的材料選自鉻、氮化鉻、鉬、氧化鈮、鈦、鉭、氧化鉬、氮化鉬、氧化鉻、氮化鈦、氮化鋯、二氧化鈦、氮化鉭、氧化鉭、二氧化硅、氮化鈮、氮化硅、氮氧化鋁、烷基氧化鋁或上述物質(zhì)的任意組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述相位移層的材料選自MoSi、TaSi₂、TiSi₂、Fe₃O₄、Mo、Nb₂O₅、Ti、Ta、CrN、MoO₂、MoN、Cr₂O₂、TiN、ZrN、TiO₂、TaN、Ta₂O₅、SiO₂、NbN、Si₂N₄、Al₂O₂N、Al₂O₂R或上述物質(zhì)的任意組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述檢測圖案分布于所述切割滑道內(nèi)靠近擋光區(qū)域的位置。

9.一種根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的相位移掩模版的霧狀缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

將相位移掩模版上的圖案曝在晶圓的光刻膠層上；

對晶圓的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，在所述光刻膠層上形成多個器件圖案和至少一個檢測圖案；

對所述晶圓進(jìn)行缺陷檢測掃描，包括：首先掃描晶圓上的檢測圖案，當(dāng)所述檢測圖案上出現(xiàn)霧狀致缺陷時，接著掃描晶圓上的器件圖案，當(dāng)所述器件圖案上也出現(xiàn)霧狀致缺陷時，所述相位移掩模版檢測不合格；否則，所述相位移掩模版檢測合格。

10.一種相位移掩模版的制造方法，其特征在于，包括：

提供掩模版基板，所述掩模版基板包括：透明基材；位于所述透明基材上的相位移層；位于所述相位移層上的遮蔽層；

在所述掩模版基板上制備至少一個檢測圖案，所述檢測圖案用于檢測所述相位移掩模版的霧狀缺陷；

在除所述檢測圖案所在區(qū)域外的所述掩模版基板上制備多個器件圖案，所述器件圖案間有間隔，將所述間隔所在區(qū)域作為切割滑道，所述檢測圖案位于所述切割滑道所在區(qū)域內(nèi)；

在所述掩模版基板的邊緣制作擋光區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的相位移掩模版的制造方法，其特征在于，所述檢測圖案的掩模誤差增強(qiáng)因子大于或等于3。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的相位移掩模版的制造方法，其特征在于，所述檢測圖案同所述器件圖案相同。

13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的相位移掩模版的制造方法，其特征在于，所述檢測圖案包括：所述相位移掩模版的最小設(shè)計尺寸圖形。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的相位移掩模版的制造方法，其特征在于，所述透明基材的材料為二氧化硅或氟化鈣。