[發明專利]一種自支撐GaN基發光二極管的制備方法

有效

• 申請號: 201010573130.6
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102097548A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 葉志鎮;張昊翔;吳科偉;江忠永;黃靖云
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/02;C23C16/40
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.一種自支撐的GaN基發光二極管的制備方法，該自支撐的GaN基發光二極管在GaN抗腐蝕層(104)上自下而上依次有GaN或者AlN緩沖層(202)、非摻雜GaN過渡層(203)、n型GaN外延層(204)、GaN/InGaN多量子阱發光層(205)，p型GaN外延層(206)和電流擴散層(207)，并在電流擴散層(207)上鍍p型GaN接觸電極(208)，在n型GaN外延層(204)上并列于GaN/InGaN多量子阱發光層(205)鍍n型GaN接觸電極(209)，其制備采用的是金屬有機化學氣相沉積法，步驟如下：

1)將經過清洗的藍寶石襯底(101)裝入金屬有機化學氣相沉積裝置反應室，抽真空，在250-400℃，有機鋅源流量5-100sccm，純氧氣流量為10-200sccm，氣壓為0.01-150Torr，生長厚度為0.1-1微米的ZnO緩沖層(102)；

2)將步驟1)制品在700-800℃原位退火10-30分鐘，然后于400-600℃，有機鋅源流量5-100sccm，純氧氣流量為10-200sccm，氣壓為0.01-150Torr，在ZnO緩沖層(102)上生長厚度為0.5-30微米的ZnO外延層(103)；

3)在600-800℃，有機鎵源流量為5-100sccm，純氨氣的流量為100-2000sccm，氣壓為10-200Torr，在ZnO外延層(103)上生長厚度為0.1-1微米的GaN抗腐蝕層(104)；

4)在上述的藍寶石(101)、ZnO緩沖層(102)、ZnO外延層(103)以及GaN抗腐蝕層(104)構成的復合襯底上，依次生長GaN或者AlN緩沖層(202)、非摻雜GaN過渡層(203)、n型GaN外延層(204)、GaN/InGaN多量子阱發光層(205)，p型GaN外延層(206)和電流擴散層(207)，并在電流擴散層(207)上鍍p型GaN接觸電極(208)，在n型GaN外延層(204)上并列于GaN/InGaN多量子阱發光層(205)鍍n型GaN接觸電極(209)；

5)采用酸液化學腐蝕法，將藍寶石襯底(101)、ZnO緩沖層(102)和ZnO外延層(103)與GaN抗腐蝕層(104)剝離，自支撐的GaN基發光二極管。

2.根據權利要求1所述的自支撐的GaN基發光二極管的制備方法，其特征在于酸液化學腐蝕所用的酸液為pH≥4的硝酸、磷酸或者氫氟酸。