[發(fā)明專利]拋光裝置及其異常處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010573122.1 | 申請日: | 2010-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN102485424A | 公開(公告)日: | 2012-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔣莉;黎銘琦 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/34 | 分類號: | B24B37/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拋光 裝置 及其 異常 處理 方法 | ||
1.一種拋光裝置,包括研磨機構(gòu)、清洗機構(gòu),其特征在于,還包括:報警單元、處理單元,
所述報警單元,當(dāng)拋光過程中因異常產(chǎn)生報警時,發(fā)送報警信號給所述處理單元;
所述處理單元,基于接收到的所述報警信號以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置,其特征在于,所述報警產(chǎn)生于所述研磨機構(gòu),所述報警單元發(fā)送的所述報警信號為第一報警信號,所述處理單元以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行處理包括:以所述有機酸溶液對所述研磨機構(gòu)中的晶圓進行處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置,其特征在于,所述報警產(chǎn)生于所述清洗機構(gòu),所述報警單元發(fā)送的所述報警信號為第二報警信號,所述處理單元以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行處理包括:以所述有機酸溶液對所述研磨機構(gòu)以及所述清洗機構(gòu)中的晶圓進行處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的拋光裝置,其特征在于,所述拋光裝置還包括研磨頭清洗及晶圓裝卸機構(gòu),所述處理單元以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行處理還包括:以所述有機酸溶液對所述研磨頭清洗及晶圓裝卸機構(gòu)中的晶圓進行處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的拋光裝置,其特征在于,所述處理單元以有機酸溶液對所述研磨機構(gòu)中的晶圓進行的處理包括:將經(jīng)過所述研磨機構(gòu)研磨處理后的晶圓置于盛有所述有機酸溶液的隔離槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置,其特征在于,所述處理單元以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行的處理包括:向所述晶圓噴射所述有機酸溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光裝置,其特征在于,所述處理單元在接收到所述報警信號后的第一處理時間內(nèi),持續(xù)向所述晶圓噴射所述有機酸溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的拋光裝置,其特征在于,所述第一處理時間為1至5分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的拋光裝置,其特征在于,所述處理單元向所述晶圓噴射有機酸溶液的流速大于1000毫升/分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的拋光裝置,其特征在于,所述處理單元在所述第一處理時間后至所述報警解除前的第二處理時間內(nèi),間隔地向所述晶圓噴射所述有機酸溶液。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光裝置,其特征在于,所述間隔的時間為所述第一處理時間的20%~90%。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光裝置,其特征在于,所述處理單元向所述晶圓噴射所述有機酸溶液的流速大于500毫升/分鐘。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置,其特征在于,所述有機酸為草酸、丙二酸、丁二酸、順丁烯二酸、鄰苯二甲酸或氨基酸。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置,其特征在于,所述有機酸溶液的濃度為0.01~10wt%。
15.一種拋光裝置的異常處理方法,其特征在于,包括:
當(dāng)拋光過程中因異常產(chǎn)生報警時,發(fā)送報警信號;
基于接收到的所述報警信號以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的拋光裝置的異常處理方法,其特征在于,所述報警產(chǎn)生于所述拋光裝置的研磨機構(gòu),所述報警信號為第一報警信號,所述以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行處理包括:以所述有機酸溶液對所述拋光裝置的研磨機構(gòu)中的晶圓進行處理。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的拋光裝置的異常處理方法,其特征在于,所述報警產(chǎn)生于所述拋光裝置的清洗機構(gòu),所述報警信號為第二報警信號,所述以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行處理包括:以所述有機酸溶液對所述拋光裝置的研磨機構(gòu)以及清洗機構(gòu)中的晶圓進行處理。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的拋光裝置的異常處理方法,其特征在于,所述以有機酸溶液對所述拋光裝置中的晶圓進行處理還包括:以所述有機酸溶液對所述拋光裝置的研磨頭清洗及晶圓裝卸機構(gòu)中的晶圓進行處理。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的拋光裝置的異常處理方法,其特征在于,所述以有機酸溶液對所述研磨機構(gòu)中的晶圓進行的處理包括:將經(jīng)過所述研磨機構(gòu)研磨處理后的晶圓置于盛有所述有機酸溶液的隔離槽中。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,未經(jīng)中芯國際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010573122.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種臥式加工中心
- 下一篇:輥子焊接用旋轉(zhuǎn)支撐裝置





