[發明專利]一種半導體結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010572616.8
• 申請日: 2010-12-03
• 公開（公告）號: CN102487015A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 尹海洲;羅軍;駱志炯;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/283;H01L29/78;H01L29/45
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種半導體結構的制造方法，該方法包括以下步驟：

a)?提供襯底(100)，在所述襯底(100)上形成偽柵堆疊、在所述偽柵堆疊側壁形成側墻(240)、在所述偽柵堆疊兩側形成源/漏區(110)以及源/漏延伸區(111)；

b)?去除至少部分所述側墻(240)，以暴露至少部分所述源/漏延伸區(111)；

c)?在所述源/漏區(110)以及暴露的所述源/漏延伸區(111)上形成接觸層(112)，所述接觸層(112)為CoSi₂、NiSi或者Ni(Pt)Si_2-y中的一種或其組合且所述接觸層(112)的厚度小于10nm。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述步驟c)包括：

形成金屬層(250)以覆蓋所述襯底(100)、偽柵堆疊以及側墻(240)，所述金屬層(250)的材料包括Co、Ni、NiPt中的一種或其組合；

執行退火操作，以使所述金屬層(250)與所述源/漏區(110)以及暴露的所述源/漏延伸區(111)表面反應；

去除未反應的所述金屬層(250)。

3.根據權利要求2述的方法，其中：

如果所述金屬層(250)的材料為Co，則Co的厚度小于5nm；

如果所述金屬層(250)的材料為Ni，則Ni的厚度小于4nm；以及

如果所述金屬層(250)的材料為NiPt，則NiPt的厚度小于3nm。

4.根據權利要求2所述的方法，其中：

如果所述金屬層(250)的材料為NiPt，則NiPt中Pt的含量小于5%。

5.根據權利要求1述的方法，其中：

所述接觸層(112)的厚度小于6nm。

6.一種半導體結構，該半導體結構包括襯底(100)、源/漏區(110)、源/漏延伸區(111)和柵極，其中：

所述源/漏區(110)和所述源/漏延伸區(111)形成于所述襯底(100)之中，所述源/漏延伸區(111)的厚度小于所述源/漏區(110)的厚度，其特征在于：

在所述源/漏區(110)以及至少部分所述源/漏延伸區(111)的上表面存在接觸層(112)?，所述接觸層(112)為CoSi₂、NiSi或者Ni(Pt)Si_2-y中的一種或其組合且所述接觸層(112)的厚度小于10nm。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中：

所述接觸層(112)的厚度小于6nm。