[發明專利]發光器件和發光器件封裝

有效

• 申請號: 201010572450.X
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102117875A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 孫孝根
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/22
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

相關申請的交叉引用

本申請要求2009年11月30提交的韓國專利申請No.10-2009-0116993的優先權，其全部內容通過引用結合于此。

技術領域

實施例涉及一種發光器件和發光器件封裝。

背景技術

發光二極管(LED)是將電流轉換為光的半導體發光器件。最近，隨著發光二極管的亮度逐漸地增加，發光二極管被廣泛地用作用于顯示器、車輛以及照明器件的光源。此外，使用磷光體或者組合各種顏色的發光二極管以形成發射有效率的白光的發光二極管。

發光二極管的亮度取決于包括有源層的結構、用于將光有效地提取到外部的光提取結構、發光二極管的半導體材料、芯片尺寸以及包封發光二極管的制模構件的類型的各種條件。

發明內容

實施例提供一種具有改進的結構的發光器件以及發光器件封裝。

實施例還提供一種具有改進的光提取效率的發光器件以及發光器件封裝。

在一個實施例中，發光器件包括：第二導電類型半導體層；有源層，所述有源層在第二導電類型半導體層上；第一導電類型半導體層，所述第一導電類型半導體層在有源層上；以及中間折射層，所述中間折射層在第一導電類型半導體層上，其中，中間折射層具有的折射率小于第一導電類型半導體層的折射率并且大于空氣的折射率。

在另一實施例中，發光器件封裝包括：主體；第一電極層和第二電極層，所述第一電極層和第二電極層在主體中；以及發光器件，所述發光器件在主體中，發光器件被電連接到第一和第二電極層，其中，所述發光器件包括：第二導電類型半導體層；有源層，所述有源層在第二導電類型半導體層上；第一導電類型半導體層，所述第一導電類型半導體層在有源層上；以及中間折射層，所述中間折射層在第一導電類型半導體層上，其中，所述中間折射層具有的折射率小于所述第一導電類型半導體層的折射率并且大于空氣的折射率。

在附圖和下面的描述中闡述一個或者多個實施例的細節。根據說明書和附圖以及根據權利要求，其他的特征將是顯而易見的。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的發光器件的橫截面圖。

圖2和3是示出根據第二實施例的發光器件的橫截面圖。

圖4至圖8是示出制造根據第二實施例的發光器件的方法的橫截面圖。

圖9是示出根據第三實施例的發光器件的橫截面圖。

圖10是示出包括根據實施例的發光器件的發光封裝的橫截面圖。

圖11是示出包括根據實施例的發光器件的背光單元的透視圖。

圖12是示出包括根據實施例的發光器件封裝的照明系統的透視圖。

具體實施方式

在實施例的描述中，將理解的是，當層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一層(或者膜)、區域、墊或者圖案“上”或者“下”時，“上”和“下”的術語包括“直接地”和“間接地”的意義。此外，將會基于附圖進行關于在每層“上”和“下”的參考。

在附圖中，為了便于描述和清晰，每層的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外，每個元件的尺寸沒有完全反映實際尺寸。

在下文中，將參考附圖來描述根據實施例的發光器件和制造發光器件的方法。

<第一實施例>

圖1是示出根據第一實施例的發光器件1的橫截面圖。

參考圖1，第一發光器件1可以包括襯底110；中間反射層116，該中間折射層116被設置在襯底110上；第一半導體層130，該第一半導體層130被設置在中間折射層116上；有源層140，該有源層140被設置在第一半導體層130上；第二導電類型半導體層150，該第二導電類型半導體層150被設置在有源層140上；電極層160，該電極層160被設置在第二導電類型半導體層150上；第一電極170，該第一電極170被設置在電極層160上；以及第二電極180，該第二電極180被設置在第一半導體層130上。

襯底110可以由藍寶石(Al₂O₃)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP以及Ge中的至少一種形成，但是本公開不限于此。

襯底110具有第一折射率n1。例如，當襯底110由藍寶石Al₂O₃形成時，第一折射率可以在從大約1.7到大約1.8的范圍內。

中間折射層116可以被設置在襯底110上。

中間折射層116可以具有處于襯底110的第一折射率n1和第一半導體層130的第三折射率n3之間的第二折射率n2。