[發(fā)明專利]基于光學(xué)檢測(cè)的E型磁材分選方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010572401.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102101111A | 公開(公告)日: | 2011-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高會(huì)軍;李志成;宋春衛(wèi);吳立剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B07C5/10 | 分類號(hào): | B07C5/10 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 張宏威 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 光學(xué) 檢測(cè) 型磁材 分選 方法 | ||
1.基于光學(xué)檢測(cè)的E型磁材分選方法,其特征是:它由以下步驟實(shí)現(xiàn):
步驟一、使攝像頭的光軸與所述待測(cè)E型磁材的E型面相垂直,然后采用攝像頭對(duì)待測(cè)E型磁材的E型面進(jìn)行拍照,獲得待測(cè)E型磁材的E型面圖像;所述圖像的像素為1280×1024;
步驟二、將步驟一獲得的待測(cè)E型材料圖像與標(biāo)準(zhǔn)模板圖像進(jìn)行匹配,獲得待測(cè)E型材料圖像的測(cè)量區(qū)域;
步驟三、采用Sobel邊緣檢測(cè)方法聯(lián)合Canny邊緣檢測(cè)方法對(duì)步驟二獲得的待測(cè)E型材料圖像的測(cè)量區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),獲得待測(cè)E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像;
步驟四、對(duì)步驟三獲得的待測(cè)E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像采用Hough變換法去噪,獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像;
步驟五、對(duì)步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進(jìn)行水平搜索,確定圖像中的兩條邊的邊緣中每條邊的邊緣上的所有像素關(guān)鍵點(diǎn),并確定每個(gè)像素關(guān)鍵點(diǎn)與鄰近的所有像素點(diǎn)之間的亞像素點(diǎn),并對(duì)每個(gè)像素關(guān)鍵點(diǎn)與鄰近的所有像素點(diǎn)之間的鄰近的所有亞像素點(diǎn)進(jìn)行求解,獲得每個(gè)像素關(guān)鍵點(diǎn)的亞像素級(jí)位置,綜合所有像素關(guān)鍵點(diǎn)的亞像素級(jí)位置,獲得寬度方向上兩條邊的亞像素級(jí)邊緣圖像;
步驟六、對(duì)步驟五中寬度方向上兩條邊的亞像素級(jí)邊緣圖像采用最小二乘直線擬合法去噪,獲得去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級(jí)邊緣圖像;
步驟七、將步驟六獲得的去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級(jí)邊緣圖像采用加權(quán)最小二乘直線擬合法進(jìn)行計(jì)算,獲得寬度方向上兩條邊之間的距離,即是待測(cè)E型磁材E型面的長(zhǎng)度;
步驟八、判斷步驟七獲得的待測(cè)E型磁材E型面的長(zhǎng)度是否位于預(yù)先設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度范圍的區(qū)間內(nèi),如果判斷結(jié)果為是,則獲得待測(cè)E型磁材是合格品;如果判斷結(jié)果為否,則獲得待測(cè)E型磁材是不合格品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光學(xué)檢測(cè)的E型磁材分選方法,其特征在于步驟二中所述將步驟一獲得的待測(cè)E型材料圖像與標(biāo)準(zhǔn)模板圖像進(jìn)行匹配,獲得待測(cè)E型材料圖像的測(cè)量區(qū)域的方法由以下步驟完成:
步驟A1、將待測(cè)E型材料圖像和標(biāo)準(zhǔn)模板圖像均縮小50倍,并將縮小50倍后的待測(cè)E型材料圖像與縮小50倍后的標(biāo)準(zhǔn)模板圖像采用歸一化平方差法進(jìn)行匹配,獲得縮小50倍后的最佳匹配位置;
步驟A2、將待測(cè)E型材料圖像和標(biāo)準(zhǔn)模板圖像均縮小32倍,并將縮小32倍后的待測(cè)E型材料圖像與縮小32倍后的標(biāo)準(zhǔn)模板圖像在步驟A1獲得的最佳匹配位置的上、下、左、右各向外擴(kuò)展16個(gè)像素的范圍內(nèi)采用歸一化平方誤差法進(jìn)行匹配,獲得縮小32倍后的最佳匹配位置;
步驟A3、將待測(cè)E型材料圖像和標(biāo)準(zhǔn)模板圖像均縮小16倍,并將縮小16倍后的待測(cè)E型材料圖像與縮小16倍后的標(biāo)準(zhǔn)模板圖像在步驟A2獲得的最佳匹配位置的上、下、左、右各向外擴(kuò)展16個(gè)像素的范圍內(nèi)采用歸一化平方誤差法進(jìn)行匹配,獲得最終的最佳匹配位置,即獲得待測(cè)E型材料圖像的測(cè)量區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光學(xué)檢測(cè)的E型磁材分選方法,其特征在于步驟三中采用Sobel邊緣檢測(cè)方法聯(lián)合Canny邊緣檢測(cè)方法對(duì)步驟二獲得的待測(cè)E型材料圖像的測(cè)量區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),獲得待測(cè)E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像的方法由以下步驟完成:
步驟V1、采用Sobel邊緣檢測(cè)方法將待測(cè)E型材料圖像與標(biāo)準(zhǔn)模板圖像做卷積,并將獲得的結(jié)果取絕對(duì)值后歸一化到0~255的區(qū)間內(nèi);
步驟V2、設(shè)定高、低兩個(gè)閾值h和l,將步驟V1中的歸一化到0~255的區(qū)間內(nèi)的值分別與兩個(gè)閾值h和l進(jìn)行比較,如果該值高于閾值h,則設(shè)定該值對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)為邊緣點(diǎn);如果該值低于閾值l,則設(shè)定該值對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)為背景點(diǎn);如果該值位于[l,h]的區(qū)間內(nèi),則判斷該值對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)的相鄰的8個(gè)像素點(diǎn)是否有邊緣點(diǎn),如果判斷結(jié)果為是,則設(shè)定該值對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)為邊緣點(diǎn);如果判斷結(jié)果為否,則設(shè)定該值對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)為背景點(diǎn);
綜合所有值對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)的結(jié)果,獲得邊緣圖像I1;
步驟V3、采用Canny邊緣檢測(cè)方法對(duì)待測(cè)E型材料圖像進(jìn)行邊緣檢測(cè),獲得邊緣圖像I2;
步驟V4、將步驟V2獲得的邊緣圖像I1和步驟V3獲得的邊緣圖像I2進(jìn)行與運(yùn)算,獲得待測(cè)E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像。
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