[發(fā)明專利]光刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010572023.1
• 申請日: 2010-12-03
• 公開（公告）號: CN102486606A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發(fā)明（設計）人: 王偉斌;王輝
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種光刻方法，該方法包括：

對原始目標圖案進行預處理，形成二次目標圖案，所述二次目標圖案不包括直角轉(zhuǎn)角；

對二次目標圖案進行光學臨近修正OPC處理，形成修改后的二次目標圖案；

按照修改后的二次目標圖案在掩膜版上形成掩膜版圖案；

根據(jù)掩膜版圖案對晶片上的光阻膠PR進行曝光和顯影，形成光刻圖案。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預處理的方法包括：

在原始目標圖案的輪廓線上采集多個點作為采樣點；

獲取每個采樣點的光強；

將光強大于預先設置的光強閾值的采樣點作為擬合點；

根據(jù)擬合點，采用最小二乘方法進行曲線擬合，將所擬合的曲線作為二次目標圖案的輪廓線，二次目標圖案的輪廓線圍繞而成的圖形為二次目標圖案。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預處理的方法進一步包括：在原始目標圖案的輪廓線上采集多個點作為采樣點之前，預先設定采樣頻率；

所述采集點按照采樣頻率所采集。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，獲取采樣點的光強的方法包括：

采用當前光刻設備對原始目標圖案進行照射，量測每個采樣點的光強；

或，

根據(jù)當前光刻設備的基本參數(shù)建立光刻設備的數(shù)學模型，根據(jù)數(shù)學模型和采樣點在原始目標圖案的輪廓線上的位置計算采樣點的光強。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述預處理的方法進一步包括：

將所擬合的曲線作為二次目標圖案的輪廓線之后，相對于原始目標圖案的位置對二次目標圖案的輪廓線進行平移，丟棄超出原始目標圖案的輪廓線以外的二次目標圖案的輪廓線，保留原始目標圖案的輪廓線所包圍的二次目標圖案的輪廓線。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述平移為：基于原始目標圖案的位置向左、右、上或下平移。