[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010571661.1
• 申請日: 2010-11-29
• 公開（公告）號: CN102479680A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李春龍;劉金彪;尹海洲
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311;H01L21/265;H01L21/312
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括如下步驟：

提供一襯底，所述襯底上具有已形成的器件圖形；

形成一層平坦化填充層，所述平坦化填充層覆蓋所述襯底和所述器件圖形；所述平坦化填充層具有突出部分，上述突出部分對應(yīng)于所述器件圖形；

在所述平坦化填充層上涂敷光刻膠，形成一層表面平坦的光刻膠層；

采用一離子注入工藝，透過所述光刻膠層向所述平坦化填充層注入離子；

在所述離子注入工藝之后，去除所述光刻膠層；

采用一刻蝕工藝，對所述平坦化填充層進行刻蝕，獲得平坦化表面；

其特征在于：由于所述平坦化填充層上方的所述光刻膠層的厚度不同，上述突出部分的頂部的離子濃度高于上述突出部分的底部的離子濃度，也高于除上述突出部分之外的上述平坦化填充層的離子濃度。

2.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述平坦化填充層的材料為SiO₂。

3.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述平坦化填充層的形成工藝為化學(xué)氣相沉積或原子層沉積。

4.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述平坦化填充層的厚度至少能完全覆蓋所述器件圖形。

5.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述離子注入工藝的注入元素為P、B或Ar，注入能量為60～150KeV。

6.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，上述突出部分的頂部的離子濃度為10¹³～10¹⁶cm^-2。

7.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述刻蝕工藝為濕法蝕刻，采用的化學(xué)試劑為稀釋的HF。