[發明專利]晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201010571330.8
• 申請日: 2010-12-02
• 公開（公告）號: CN102487012A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 史運澤;徐友鋒;劉煥新
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/306;H01L21/762;C23F1/24;C23F1/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有柵介質層、位于所述柵介質層上的偽柵極；

進行離子注入，在所述偽柵極和柵介質層兩側的半導體襯底內形成源區和漏區；

在所述半導體襯底上形成與所述偽柵極齊平的層間介質層；

利用酸性溶液，進行酸性刻蝕工藝，去除部分所述偽柵極，去除的偽柵極的厚度為第一厚度，所述第一厚度小于所述偽柵極整體的厚度；

利用堿性溶液，進行堿性刻蝕工藝，去除剩余的偽柵極，在所述層間介質層內形成露出所述柵介質層的溝槽；

在所述溝槽的側壁和底部形成高K介質層；

在所述高K介質層上形成金屬柵極，所述金屬柵極填充滿所述溝槽。

2.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述酸性溶液利用氫氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液進行。

3.如權利要求2所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述氫氟酸與硝酸的質量比例為1/2～1/7，氫氟酸與醋酸的質量比例為1/40～1/80。

4.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述堿性溶液為氫氧化銨或氫氧化四甲基銨與水的混合溶液。

5.如權利要求4所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述堿性溶液中氫氧化銨或氫氧化四甲基銨的質量比例為2～50％。

6.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述堿性刻蝕工藝的溫度范圍為50～90攝氏度，時間范圍為50～200秒。

7.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述酸性刻蝕工藝的溫度范圍為25～70攝氏度，時間范圍為30～110秒。

8.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一厚度范圍為50～500埃。

9.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述偽柵極的厚度范圍為600～1000埃。