[發(fā)明專利]鍍膜件及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010570266.1
• 申請(qǐng)日: 2010-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN102485939A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;劉咸柱;李聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，其包括基體、形成于基體表面的打底層、形成于打底層表面的梯度膜層及形成于梯度膜層表面的硬質(zhì)層，其特征在于：該打底層為Ni-Cr合金層，該梯度膜層為Ni-CrC層，該硬質(zhì)層為Hf-C層。

2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述梯度膜層中C原子的含量由靠近打底層至遠(yuǎn)離打底層的方向呈梯度增加。

3.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述打底層、梯度膜層及硬質(zhì)層分別通過磁控濺射鍍膜法形成。

4.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述打底層的厚度為100～300nm，所述梯度膜層的厚度為400～500nm，所述硬質(zhì)層的厚度為500～800nm。

5.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述基體為含有Ni、Cr中至少一種元素的不銹鋼。

6.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：

提供基體；

在基體表面形成打底層，該打底層為Ni-Cr合金層；

在打底層的表面形成梯度膜層，該梯度膜層為Ni-CrC層；

在梯度膜層的表面形成硬質(zhì)層，該硬質(zhì)層為Hf-C層。

7.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述形成打底層的步驟采用如下方式實(shí)現(xiàn)：采用磁控濺射法，使用Ni-Cr合金靶，Ni-Cr合金靶的電源功率為2～5kw，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為200～400sccm，施加于基體的偏壓為-100～-300V，加熱使基體的溫度為100～200℃，鍍膜時(shí)間為20～60min。

8.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述形成梯度膜層的步驟采用如下方式實(shí)現(xiàn)：采用磁控濺射法，使用Ni-Cr合金靶，Ni-Cr合金靶的電源功率為2～5kw；以氬氣為工作氣體，氬氣流量為300～500sccm，以乙炔為反應(yīng)氣體，設(shè)置乙炔氣體的初始流量為20～40sccm，在沉積梯度膜層的過程中，每沉積2～5min將乙炔的流量增大15～20sccm，當(dāng)乙炔的流量到達(dá)300sccm時(shí)，停止增大乙炔流量；施加于基體的偏壓為-100～-300V，基體的溫度為100～200℃，鍍膜時(shí)間為20～60min。

9.如權(quán)利要求7或8所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述Ni-Cr合金靶中Ni的質(zhì)量百分含量為20～80％。

10.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述形成硬質(zhì)層的步驟采用如下方式實(shí)現(xiàn)：采用磁控濺射法，使用鉿靶，以乙炔為反應(yīng)氣體，乙炔流量為30～200sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為300～500sccm，施加于基體的偏壓為-100～-300V，基體的溫度為100～200℃，鍍膜時(shí)間為30～120min。